核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2010年
3期
339-341,353
,共4页
杜川华%詹峻岭%赵洪超%朱小锋
杜川華%詹峻嶺%趙洪超%硃小鋒
두천화%첨준령%조홍초%주소봉
ONO反熔丝%电离辐照%FPGA%电子-空穴对
ONO反鎔絲%電離輻照%FPGA%電子-空穴對
ONO반용사%전리복조%FPGA%전자-공혈대
描述了ONO反熔丝的物理结构,采用ONO薄膜传导模型分析了ONO反熔丝结构在受到电离辐照时,其内部电子-空穴的运动规律.分别对ONO反熔丝FPGA A1460A和A40MX04进行了电离辐照实验,测试了电流与辐照剂量的关系以及FPGA功能失效阈值.理论分析和实验数据说明了该结构比单层SiO2具有更好的抗电离辐照性能.
描述瞭ONO反鎔絲的物理結構,採用ONO薄膜傳導模型分析瞭ONO反鎔絲結構在受到電離輻照時,其內部電子-空穴的運動規律.分彆對ONO反鎔絲FPGA A1460A和A40MX04進行瞭電離輻照實驗,測試瞭電流與輻照劑量的關繫以及FPGA功能失效閾值.理論分析和實驗數據說明瞭該結構比單層SiO2具有更好的抗電離輻照性能.
묘술료ONO반용사적물리결구,채용ONO박막전도모형분석료ONO반용사결구재수도전리복조시,기내부전자-공혈적운동규률.분별대ONO반용사FPGA A1460A화A40MX04진행료전리복조실험,측시료전류여복조제량적관계이급FPGA공능실효역치.이론분석화실험수거설명료해결구비단층SiO2구유경호적항전리복조성능.
