半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
2期
146-149
,共4页
王胜福%许悦%郑升灵%韩东
王勝福%許悅%鄭升靈%韓東
왕성복%허열%정승령%한동
薄膜体声波谐振器%滤波器%振荡器%Q值%有效机电耦合系数(Keff2)
薄膜體聲波諧振器%濾波器%振盪器%Q值%有效機電耦閤繫數(Keff2)
박막체성파해진기%려파기%진탕기%Q치%유효궤전우합계수(Keff2)
提出了基于AlN压电薄膜多层结构的1.8 GHz射频薄膜体声波谐振器(FBAR),并进行了研究.采用修正后的MBVD等效电路模型对器件的谐振特性进行了分析和模拟.给出了采用半导体加工工艺制备器件的工艺流程,并实际制做谐振器样品,样品的测试结果:器件的串联谐振频率fs和并联谐振频率fp分别为1.781和1.794 GHz,相应的有效机电耦合系数为1.8％；串联谐振频率处和并联谐振频率处的Q值分别为308和246.该谐振器样品实际尺寸为0.45 mm×0.21 mm × 0.5 mm,可以用来制备高性能的滤波器、双工器和低相噪射频振荡器等.
提齣瞭基于AlN壓電薄膜多層結構的1.8 GHz射頻薄膜體聲波諧振器(FBAR),併進行瞭研究.採用脩正後的MBVD等效電路模型對器件的諧振特性進行瞭分析和模擬.給齣瞭採用半導體加工工藝製備器件的工藝流程,併實際製做諧振器樣品,樣品的測試結果:器件的串聯諧振頻率fs和併聯諧振頻率fp分彆為1.781和1.794 GHz,相應的有效機電耦閤繫數為1.8％；串聯諧振頻率處和併聯諧振頻率處的Q值分彆為308和246.該諧振器樣品實際呎吋為0.45 mm×0.21 mm × 0.5 mm,可以用來製備高性能的濾波器、雙工器和低相譟射頻振盪器等.
제출료기우AlN압전박막다층결구적1.8 GHz사빈박막체성파해진기(FBAR),병진행료연구.채용수정후적MBVD등효전로모형대기건적해진특성진행료분석화모의.급출료채용반도체가공공예제비기건적공예류정,병실제제주해진기양품,양품적측시결과:기건적천련해진빈솔fs화병련해진빈솔fp분별위1.781화1.794 GHz,상응적유효궤전우합계수위1.8％；천련해진빈솔처화병련해진빈솔처적Q치분별위308화246.해해진기양품실제척촌위0.45 mm×0.21 mm × 0.5 mm,가이용래제비고성능적려파기、쌍공기화저상조사빈진탕기등.
