半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2005年
1期
57-60
,共4页
郎佳红%顾彪%徐茵%秦福文%曲钢
郎佳紅%顧彪%徐茵%秦福文%麯鋼
랑가홍%고표%서인%진복문%곡강
蓝宝石%清洗%氮化%RHEED%GaN
藍寶石%清洗%氮化%RHEED%GaN
람보석%청세%담화%RHEED%GaN
通过反射高能电子衍射仪(RHEED)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ECR-PEMOCVD装置中清洗氮化实验表面晶质的RHEED图像,研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底清洗、氮化的实验.结果表明,经常规清洗后的蓝宝石衬底表面晶质差异较大,有些衬底再经通常的30min等离子体清洗是达不到要求的,而要根据情况施行分步清洗才能清洗充分,清洗充分的衬底经20min就可氮化出来,不充分的再长的时间也很难氮化.
通過反射高能電子衍射儀(RHEED)分析藍寶石襯底在經過雙熱電偶校溫的ECR-PEMOCVD裝置中清洗氮化實驗錶麵晶質的RHEED圖像,研究瞭常規清洗和ECR等離子體所產生的活性氫氮等離子體源對藍寶石襯底清洗、氮化的實驗.結果錶明,經常規清洗後的藍寶石襯底錶麵晶質差異較大,有些襯底再經通常的30min等離子體清洗是達不到要求的,而要根據情況施行分步清洗纔能清洗充分,清洗充分的襯底經20min就可氮化齣來,不充分的再長的時間也很難氮化.
통과반사고능전자연사의(RHEED)분석람보석츤저재경과쌍열전우교온적ECR-PEMOCVD장치중청세담화실험표면정질적RHEED도상,연구료상규청세화ECR등리자체소산생적활성경담등리자체원대람보석츤저청세、담화적실험.결과표명,경상규청세후적람보석츤저표면정질차이교대,유사츤저재경통상적30min등리자체청세시체불도요구적,이요근거정황시행분보청세재능청세충분,청세충분적츤저경20min취가담화출래,불충분적재장적시간야흔난담화.
