CAJ | 학술논문

采用渠道火花烧蚀技术在普通玻璃基板上制备了掺钼氧化铟In2O3:Mo透明导电薄膜,研究了烧蚀时氧气压强对薄膜光电性能的影响.在基板温度Ts=350℃时,薄膜的电阻率和载流子浓度随氧气压强增大分别呈凹形和凸形的变化趋势.薄膜电阻率最小值是4.8×10-4Ω·cm,载流子浓度为7.1×1020 cm-3.载流子迁移率最高可达49.6cm2/(V·s).可见光区域平均透射率大于87%以上,由紫外光电子谱分析得到薄膜的表面功函数为4.6eV.X射线衍射分析表明,薄膜结晶性良好并在(222)晶面择优取向生长.原子力显微镜观察薄膜样品表面得到方均根粗糙度为0.72nm,平均粗糙度为0.44nm,峰谷最大差值为15.4nm.
채용거도화화소식기술재보통파리기판상제비료참목양화인In2O3:Mo투명도전박막,연구료소식시양기압강대박막광전성능적영향.재기판온도Ts=350℃시,박막적전조솔화재류자농도수양기압강증대분별정요형화철형적변화추세.박막전조솔최소치시4.8×10-4Ω·cm,재류자농도위7.1×1020 cm-3.재류자천이솔최고가체49.6cm2/(V·s).가견광구역평균투사솔대우87%이상,유자외광전자보분석득도박막적표면공함수위4.6eV.X사선연사분석표명,박막결정성량호병재(222)정면택우취향생장.원자력현미경관찰박막양품표면득도방균근조조도위0.72nm,평균조조도위0.44nm,봉곡최대차치위15.4nm.