半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
4期
751-753
,共3页
高伟%邹德恕%李建军%郭伟玲%沈光地
高偉%鄒德恕%李建軍%郭偉玲%瀋光地
고위%추덕서%리건군%곽위령%침광지
铝镓铟磷%薄膜发光二极管%全方位反射镜
鋁鎵銦燐%薄膜髮光二極管%全方位反射鏡
려가인린%박막발광이겁관%전방위반사경
提出了一种新型全方位反射A1GalnP LED结构和制作工艺.GaAs外延片与含导电孔的SiO2,Au形成全方位反射镜后,银浆键合在Si支架上,去除GaAs衬底,制作薄AuGeNi电极,粗化,生长ITO,制作厚AuGeNi电极,合金则形成ODR薄膜LED结构.300μm×300μm管芯裸装在TO-18金属管座上,在20mA的电流驱动下,测得电压为2.2V,光强达到195mcd,光功率达到3.78mW,比常规吸收衬底LED提高3.6倍.
提齣瞭一種新型全方位反射A1GalnP LED結構和製作工藝.GaAs外延片與含導電孔的SiO2,Au形成全方位反射鏡後,銀漿鍵閤在Si支架上,去除GaAs襯底,製作薄AuGeNi電極,粗化,生長ITO,製作厚AuGeNi電極,閤金則形成ODR薄膜LED結構.300μm×300μm管芯裸裝在TO-18金屬管座上,在20mA的電流驅動下,測得電壓為2.2V,光彊達到195mcd,光功率達到3.78mW,比常規吸收襯底LED提高3.6倍.
제출료일충신형전방위반사A1GalnP LED결구화제작공예.GaAs외연편여함도전공적SiO2,Au형성전방위반사경후,은장건합재Si지가상,거제GaAs츤저,제작박AuGeNi전겁,조화,생장ITO,제작후AuGeNi전겁,합금칙형성ODR박막LED결구.300μm×300μm관심라장재TO-18금속관좌상,재20mA적전류구동하,측득전압위2.2V,광강체도195mcd,광공솔체도3.78mW,비상규흡수츤저LED제고3.6배.
