真空
真空
진공
VACUUM
2009年
2期
15-18
,共4页
周序乐%唐振方%吉锐%沈娇
週序樂%唐振方%吉銳%瀋嬌
주서악%당진방%길예%침교
磁控溅射%Gu薄膜%溅射功率%放电时间%择优取向%电阻率
磁控濺射%Gu薄膜%濺射功率%放電時間%擇優取嚮%電阻率
자공천사%Gu박막%천사공솔%방전시간%택우취향%전조솔
采用直流磁控溅射法在PI柔性衬底上制备Cu膜.通过接触角测试仪、X射线衍射仪、四探针测试仪等仪器研究了Ar+轰击时间和溅射功率对薄膜接触角、择优取向、晶粒大小及电阻率的影响.测试结果表明:随着Ar+轰击时间的延长,接触角减小,轰击时间为3 min时,接触角达到最小为45.0°,进一步延长Ar+轰击时间反而会导致接触角增大.Ar+轰击时间由1 min增加到3 min时,平均晶粒尺寸由16.6 nm增加到22.9 nm,电阻率从16.2 μΩ·cm降低到10.7 μΩ·cm.溅射功率从3250 W增加到7500 W时,(111)晶面择优取向增强,Cu膜平均晶粒尺寸由15.1nm增加到17.6nm,电阻率从11.6μΩ·cm降低到7.4μΩ·cm.
採用直流磁控濺射法在PI柔性襯底上製備Cu膜.通過接觸角測試儀、X射線衍射儀、四探針測試儀等儀器研究瞭Ar+轟擊時間和濺射功率對薄膜接觸角、擇優取嚮、晶粒大小及電阻率的影響.測試結果錶明:隨著Ar+轟擊時間的延長,接觸角減小,轟擊時間為3 min時,接觸角達到最小為45.0°,進一步延長Ar+轟擊時間反而會導緻接觸角增大.Ar+轟擊時間由1 min增加到3 min時,平均晶粒呎吋由16.6 nm增加到22.9 nm,電阻率從16.2 μΩ·cm降低到10.7 μΩ·cm.濺射功率從3250 W增加到7500 W時,(111)晶麵擇優取嚮增彊,Cu膜平均晶粒呎吋由15.1nm增加到17.6nm,電阻率從11.6μΩ·cm降低到7.4μΩ·cm.
채용직류자공천사법재PI유성츤저상제비Cu막.통과접촉각측시의、X사선연사의、사탐침측시의등의기연구료Ar+굉격시간화천사공솔대박막접촉각、택우취향、정립대소급전조솔적영향.측시결과표명:수착Ar+굉격시간적연장,접촉각감소,굉격시간위3 min시,접촉각체도최소위45.0°,진일보연장Ar+굉격시간반이회도치접촉각증대.Ar+굉격시간유1 min증가도3 min시,평균정립척촌유16.6 nm증가도22.9 nm,전조솔종16.2 μΩ·cm강저도10.7 μΩ·cm.천사공솔종3250 W증가도7500 W시,(111)정면택우취향증강,Cu막평균정립척촌유15.1nm증가도17.6nm,전조솔종11.6μΩ·cm강저도7.4μΩ·cm.
