电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2010年
5期
553-556
,共4页
张国宾%申开盛%王朝林%易忠%孟立飞%刘肃
張國賓%申開盛%王朝林%易忠%孟立飛%劉肅
장국빈%신개성%왕조림%역충%맹립비%류숙
磁场%二极管%反向饱和电流%I-V特性
磁場%二極管%反嚮飽和電流%I-V特性
자장%이겁관%반향포화전류%I-V특성
在恒磁场为0～2T的范围内,对Si、Ge基二极管的反向饱和电流和正向电流进行了测试.结果表明,在一定的电学条件下,随着磁感应强度B的增大,磁场对Ge基二极管的反向饱和电流的影响比Si基二极管的更明显.磁场对Si基二极管的正向特性几乎没有影响,但可以观测到Ge基二极管的正向电流随磁场的增强发生了变化.依据半导体理论基础,对实验结果进行了分析并通过建立理论模型对磁场中二极管的I-V特性进行了模拟.
在恆磁場為0～2T的範圍內,對Si、Ge基二極管的反嚮飽和電流和正嚮電流進行瞭測試.結果錶明,在一定的電學條件下,隨著磁感應彊度B的增大,磁場對Ge基二極管的反嚮飽和電流的影響比Si基二極管的更明顯.磁場對Si基二極管的正嚮特性幾乎沒有影響,但可以觀測到Ge基二極管的正嚮電流隨磁場的增彊髮生瞭變化.依據半導體理論基礎,對實驗結果進行瞭分析併通過建立理論模型對磁場中二極管的I-V特性進行瞭模擬.
재항자장위0～2T적범위내,대Si、Ge기이겁관적반향포화전류화정향전류진행료측시.결과표명,재일정적전학조건하,수착자감응강도B적증대,자장대Ge기이겁관적반향포화전류적영향비Si기이겁관적경명현.자장대Si기이겁관적정향특성궤호몰유영향,단가이관측도Ge기이겁관적정향전류수자장적증강발생료변화.의거반도체이론기출,대실험결과진행료분석병통과건립이론모형대자장중이겁관적I-V특성진행료모의.
