电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2012年
2期
33-35,39
,共4页
阮凯斌%刘银春%吴义炳%吕灵燕
阮凱斌%劉銀春%吳義炳%呂靈燕
원개빈%류은춘%오의병%려령연
稀磁半导体%掺碳氧化铟%铁磁性%薄膜
稀磁半導體%摻碳氧化銦%鐵磁性%薄膜
희자반도체%참탄양화인%철자성%박막
采用磁控溅射法在Si(100)村底上制备了掺碳氧化铟(In2O3:C)薄膜,溅射过程分别在衬底温度为室温和550℃的条件下进行.通过测试所制In2O3:C薄膜的XRD谱和磁化曲线,研究了In2O3:C薄膜的结构和铁磁性能,并探讨了其铁磁性的起源.结果显示,随着含碳量的增加,In2O3:C薄膜的饱和磁化强度先增大后减小；此外,氧空位缺陷浓度高的样品其铁磁性也更强,这表明氧空位缺陷与In2O3:C薄膜的铁磁性起源有直接的关系.
採用磁控濺射法在Si(100)村底上製備瞭摻碳氧化銦(In2O3:C)薄膜,濺射過程分彆在襯底溫度為室溫和550℃的條件下進行.通過測試所製In2O3:C薄膜的XRD譜和磁化麯線,研究瞭In2O3:C薄膜的結構和鐵磁性能,併探討瞭其鐵磁性的起源.結果顯示,隨著含碳量的增加,In2O3:C薄膜的飽和磁化彊度先增大後減小；此外,氧空位缺陷濃度高的樣品其鐵磁性也更彊,這錶明氧空位缺陷與In2O3:C薄膜的鐵磁性起源有直接的關繫.
채용자공천사법재Si(100)촌저상제비료참탄양화인(In2O3:C)박막,천사과정분별재츤저온도위실온화550℃적조건하진행.통과측시소제In2O3:C박막적XRD보화자화곡선,연구료In2O3:C박막적결구화철자성능,병탐토료기철자성적기원.결과현시,수착함탄량적증가,In2O3:C박막적포화자화강도선증대후감소；차외,양공위결함농도고적양품기철자성야경강,저표명양공위결함여In2O3:C박막적철자성기원유직접적관계.
