高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2003年
7期
1262-1265
,共4页
DLC薄膜%强流脉冲离子束烧蚀%化学结合状态
DLC薄膜%彊流脈遲離子束燒蝕%化學結閤狀態
DLC박막%강류맥충리자속소식%화학결합상태
采用强流脉冲离子束(High-intensity pulsed ion beam, HIPIB)烧蚀技术在Si(100)基体上沉积类金刚石(Diamond-like carbon, DLC)薄膜, 衬底温度的变化范围为298～673 K. 利用Raman光谱和X射线光电子谱(XPS)对DLC薄膜的化学结合状态与衬底温度之间关系进行研究. 薄膜XPS的C1s谱的解谱分析得出薄膜中含有sp3C(结合能为285.5 eV)和sp2C(结合能为284.7 eV)成分, 根据解谱结果评价薄膜中sp3C含量. 根据XPS分析可知, 衬底温度低于473 K时, sp3C的含量大约为40%左右; 随着沉积薄膜时衬底温度的提高, sp3C的含量降低, 由298 K时的42.5%降到673 K时的8.1%, 从573 K开始发生sp3C向sp2C转变. Raman光谱表明, 随着衬底温度的提高, Raman谱中G峰的峰位靠近石墨峰位, G峰的半峰宽降低, D峰与G峰的强度比ID/IG增大, 说明薄膜中的sp3C的含量随衬底温度增加而减少.
採用彊流脈遲離子束(High-intensity pulsed ion beam, HIPIB)燒蝕技術在Si(100)基體上沉積類金剛石(Diamond-like carbon, DLC)薄膜, 襯底溫度的變化範圍為298～673 K. 利用Raman光譜和X射線光電子譜(XPS)對DLC薄膜的化學結閤狀態與襯底溫度之間關繫進行研究. 薄膜XPS的C1s譜的解譜分析得齣薄膜中含有sp3C(結閤能為285.5 eV)和sp2C(結閤能為284.7 eV)成分, 根據解譜結果評價薄膜中sp3C含量. 根據XPS分析可知, 襯底溫度低于473 K時, sp3C的含量大約為40%左右; 隨著沉積薄膜時襯底溫度的提高, sp3C的含量降低, 由298 K時的42.5%降到673 K時的8.1%, 從573 K開始髮生sp3C嚮sp2C轉變. Raman光譜錶明, 隨著襯底溫度的提高, Raman譜中G峰的峰位靠近石墨峰位, G峰的半峰寬降低, D峰與G峰的彊度比ID/IG增大, 說明薄膜中的sp3C的含量隨襯底溫度增加而減少.
채용강류맥충리자속(High-intensity pulsed ion beam, HIPIB)소식기술재Si(100)기체상침적류금강석(Diamond-like carbon, DLC)박막, 츤저온도적변화범위위298～673 K. 이용Raman광보화X사선광전자보(XPS)대DLC박막적화학결합상태여츤저온도지간관계진행연구. 박막XPS적C1s보적해보분석득출박막중함유sp3C(결합능위285.5 eV)화sp2C(결합능위284.7 eV)성분, 근거해보결과평개박막중sp3C함량. 근거XPS분석가지, 츤저온도저우473 K시, sp3C적함량대약위40%좌우; 수착침적박막시츤저온도적제고, sp3C적함량강저, 유298 K시적42.5%강도673 K시적8.1%, 종573 K개시발생sp3C향sp2C전변. Raman광보표명, 수착츤저온도적제고, Raman보중G봉적봉위고근석묵봉위, G봉적반봉관강저, D봉여G봉적강도비ID/IG증대, 설명박막중적sp3C적함량수츤저온도증가이감소.
