光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2008年
8期
1063-1066
,共4页
刘技文%刘莹%张澎丽%赵捷%马永昌%安玉凯
劉技文%劉瑩%張澎麗%趙捷%馬永昌%安玉凱
류기문%류형%장팽려%조첩%마영창%안옥개
LiNbO3/SiO2/Si薄膜%SiO2层%光致发光
LiNbO3/SiO2/Si薄膜%SiO2層%光緻髮光
LiNbO3/SiO2/Si박막%SiO2층%광치발광
采用射频磁控溅射方法制备了LiNbO3/SiO2/Si薄膜.通过X射线衍射(XRD)、电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)和傅立叶变换红外吸收光谱(FT-IR)对薄膜的物相、晶体取向和成分进行了表征.采用荧光分光光度计研究了LiNbO3/SiO2/Si薄膜的光致发光.研究结果表明:在280 nm激发光的激发下,LiNbO3/SiO2/Si薄膜在室温下发射470 nm的蓝光,来源于LiNbO3薄膜与SiO2层界面处自捕获激子的辐射复合,发现在SiO2/Si薄膜上生长LiNbO3薄膜调制SiO2/Si薄膜的发光机制.
採用射頻磁控濺射方法製備瞭LiNbO3/SiO2/Si薄膜.通過X射線衍射(XRD)、電感耦閤等離子體質譜(ICP-MS)和傅立葉變換紅外吸收光譜(FT-IR)對薄膜的物相、晶體取嚮和成分進行瞭錶徵.採用熒光分光光度計研究瞭LiNbO3/SiO2/Si薄膜的光緻髮光.研究結果錶明:在280 nm激髮光的激髮下,LiNbO3/SiO2/Si薄膜在室溫下髮射470 nm的藍光,來源于LiNbO3薄膜與SiO2層界麵處自捕穫激子的輻射複閤,髮現在SiO2/Si薄膜上生長LiNbO3薄膜調製SiO2/Si薄膜的髮光機製.
채용사빈자공천사방법제비료LiNbO3/SiO2/Si박막.통과X사선연사(XRD)、전감우합등리자체질보(ICP-MS)화부립협변환홍외흡수광보(FT-IR)대박막적물상、정체취향화성분진행료표정.채용형광분광광도계연구료LiNbO3/SiO2/Si박막적광치발광.연구결과표명:재280 nm격발광적격발하,LiNbO3/SiO2/Si박막재실온하발사470 nm적람광,래원우LiNbO3박막여SiO2층계면처자포획격자적복사복합,발현재SiO2/Si박막상생장LiNbO3박막조제SiO2/Si박막적발광궤제.
