微计算机信息
微計算機信息
미계산궤신식
CONTROL & AUTOMATION
2010年
17期
179-181
,共3页
单电子晶体管%单电子存储器%电子陷阱
單電子晶體管%單電子存儲器%電子陷阱
단전자정체관%단전자존저기%전자함정
由单电子晶体管(single-electron transistor,简称SET)构成的存储器具有体积小、容量大、功率消耗低等优点,可望成为继CMOS存储器之后纳米级的新型存储器.本文介绍了几种基于单电子晶体管的存储单元结构,并以单电子陷阱存储单元为例,提出了一个存储器参数优化选择的计算方法,能够改进器件的工作可靠性.利用SIMON仿真器还对这些单电子存储器进行了比较研究.
由單電子晶體管(single-electron transistor,簡稱SET)構成的存儲器具有體積小、容量大、功率消耗低等優點,可望成為繼CMOS存儲器之後納米級的新型存儲器.本文介紹瞭幾種基于單電子晶體管的存儲單元結構,併以單電子陷阱存儲單元為例,提齣瞭一箇存儲器參數優化選擇的計算方法,能夠改進器件的工作可靠性.利用SIMON倣真器還對這些單電子存儲器進行瞭比較研究.
유단전자정체관(single-electron transistor,간칭SET)구성적존저기구유체적소、용량대、공솔소모저등우점,가망성위계CMOS존저기지후납미급적신형존저기.본문개소료궤충기우단전자정체관적존저단원결구,병이단전자함정존저단원위례,제출료일개존저기삼수우화선택적계산방법,능구개진기건적공작가고성.이용SIMON방진기환대저사단전자존저기진행료비교연구.
