人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
6期
1470-1474
,共5页
康玲玲%刘廷禹%张启仁%徐灵芝
康玲玲%劉廷禹%張啟仁%徐靈芝
강령령%류정우%장계인%서령지
电子结构%介电函数%吸收光谱%BaMgF4晶体
電子結構%介電函數%吸收光譜%BaMgF4晶體
전자결구%개전함수%흡수광보%BaMgF4정체
运用CASTEP软件计算了完整的BaMgF4晶体的电子结构、介电函数和吸收光谱.采用剪刀算子进行修正,根据实验结果和计算结果比对,确定剪刀算子值为4.77 eV.计算结果显示完整的BaMgF4晶体在14.203～14.475 eV和21.480～21.767 eV两个区间有很明显的吸收峰,吸收边为10.337 eV,对应BaMgF4晶体的本征吸收边125 nm,计算结果与实验结果基本一致.
運用CASTEP軟件計算瞭完整的BaMgF4晶體的電子結構、介電函數和吸收光譜.採用剪刀算子進行脩正,根據實驗結果和計算結果比對,確定剪刀算子值為4.77 eV.計算結果顯示完整的BaMgF4晶體在14.203～14.475 eV和21.480～21.767 eV兩箇區間有很明顯的吸收峰,吸收邊為10.337 eV,對應BaMgF4晶體的本徵吸收邊125 nm,計算結果與實驗結果基本一緻.
운용CASTEP연건계산료완정적BaMgF4정체적전자결구、개전함수화흡수광보.채용전도산자진행수정,근거실험결과화계산결과비대,학정전도산자치위4.77 eV.계산결과현시완정적BaMgF4정체재14.203～14.475 eV화21.480～21.767 eV량개구간유흔명현적흡수봉,흡수변위10.337 eV,대응BaMgF4정체적본정흡수변125 nm,계산결과여실험결과기본일치.
