微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2004年
2期
189-191
,共3页
RESURF%LDMOS%高压器件%虚拟器件%虚拟制造技术
RESURF%LDMOS%高壓器件%虛擬器件%虛擬製造技術
RESURF%LDMOS%고압기건%허의기건%허의제조기술
应用RESURF原理,设计了三端自由的高压LDMOS器件.采用虚拟制造技术,分析比较了多种结构,对器件结构进行了优化.设计了与常规CMOS兼容的高压器件结构的制造方法和工艺.采用虚拟制造,得到NMOS和PMOS虚拟器件,击穿电压分别为350 V和320 V.
應用RESURF原理,設計瞭三耑自由的高壓LDMOS器件.採用虛擬製造技術,分析比較瞭多種結構,對器件結構進行瞭優化.設計瞭與常規CMOS兼容的高壓器件結構的製造方法和工藝.採用虛擬製造,得到NMOS和PMOS虛擬器件,擊穿電壓分彆為350 V和320 V.
응용RESURF원리,설계료삼단자유적고압LDMOS기건.채용허의제조기술,분석비교료다충결구,대기건결구진행료우화.설계료여상규CMOS겸용적고압기건결구적제조방법화공예.채용허의제조,득도NMOS화PMOS허의기건,격천전압분별위350 V화320 V.
