光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2005年
11期
1329-1332
,共4页
高玉竹%龚秀英%梁骏吾%桂永胜%山口十六夫
高玉竹%龔秀英%樑駿吾%桂永勝%山口十六伕
고옥죽%공수영%량준오%계영성%산구십륙부
InAsSb%熔体外延(ME)%电子迁移率%散射%纯度
InAsSb%鎔體外延(ME)%電子遷移率%散射%純度
InAsSb%용체외연(ME)%전자천이솔%산사%순도
用Van der Pauw法研究了熔体外延(ME)法生长的截止波长为12 μm的InAs0.04Sb0.96单晶电学性质,测量了其电学性质随温度的变化,结果为:300 K时,n＝2.3×1016 cm-3,μ＝6×104 cm2/Vs;200 K时,n＝1×1015 cm-3,μ＝1×105 cm2/Vs.分析了石墨舟和石英舟中生长的外延材料不同的电学特性及其散射机理.结果表明,电离杂质散射控制所有样品在低温时的电子输运过程,而高温时材料的电子迁移率主要由极性光学声子的散射过程决定;C的沾污对石墨舟中生长的InAs0.04Sb0.96单晶在200 K以下的电子迁移率有明显的影响.
用Van der Pauw法研究瞭鎔體外延(ME)法生長的截止波長為12 μm的InAs0.04Sb0.96單晶電學性質,測量瞭其電學性質隨溫度的變化,結果為:300 K時,n＝2.3×1016 cm-3,μ＝6×104 cm2/Vs;200 K時,n＝1×1015 cm-3,μ＝1×105 cm2/Vs.分析瞭石墨舟和石英舟中生長的外延材料不同的電學特性及其散射機理.結果錶明,電離雜質散射控製所有樣品在低溫時的電子輸運過程,而高溫時材料的電子遷移率主要由極性光學聲子的散射過程決定;C的霑汙對石墨舟中生長的InAs0.04Sb0.96單晶在200 K以下的電子遷移率有明顯的影響.
용Van der Pauw법연구료용체외연(ME)법생장적절지파장위12 μm적InAs0.04Sb0.96단정전학성질,측량료기전학성질수온도적변화,결과위:300 K시,n＝2.3×1016 cm-3,μ＝6×104 cm2/Vs;200 K시,n＝1×1015 cm-3,μ＝1×105 cm2/Vs.분석료석묵주화석영주중생장적외연재료불동적전학특성급기산사궤리.결과표명,전리잡질산사공제소유양품재저온시적전자수운과정,이고온시재료적전자천이솔주요유겁성광학성자적산사과정결정;C적첨오대석묵주중생장적InAs0.04Sb0.96단정재200 K이하적전자천이솔유명현적영향.
