半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
7期
1310-1315
,共6页
陈铭义%毛陆虹%郝先人%张世林%郭维廉
陳銘義%毛陸虹%郝先人%張世林%郭維廉
진명의%모륙홍%학선인%장세림%곽유렴
硅基光互连%喇曼放大%SOI%脊形波导%自由载流子吸收%pin结构
硅基光互連%喇曼放大%SOI%脊形波導%自由載流子吸收%pin結構
규기광호련%나만방대%SOI%척형파도%자유재류자흡수%pin결구
研究了用于喇曼放大的绝缘硅(SOI)脊形波导中自由载流子寿命与非线性光学损耗的关系.通过理论推导结合二维数值模拟的方法,提出了带有零反偏pin结构的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达式,该解析表达式与他人的实验结果相符.结果表明,比起不带pin结构的波导,带有零反偏pin结构的波导中的自由载流子寿命最多可以缩短80%.同时,研究了pin结构外加反偏电压时,自由载流子寿命进一步缩短的原因,并从强场下自由载流子速度饱和的角度出发,得到了自由载流子寿命的理论极限值.最后,模拟了不同自由载流子寿命情况下SOI脊形波导的喇曼净增益随着输入泵浦光功率密度的变化曲线,为硅基喇曼放大器的进一步研究指明了方向.
研究瞭用于喇曼放大的絕緣硅(SOI)脊形波導中自由載流子壽命與非線性光學損耗的關繫.通過理論推導結閤二維數值模擬的方法,提齣瞭帶有零反偏pin結構的SOI脊形波導中自由載流子壽命的解析錶達式,該解析錶達式與他人的實驗結果相符.結果錶明,比起不帶pin結構的波導,帶有零反偏pin結構的波導中的自由載流子壽命最多可以縮短80%.同時,研究瞭pin結構外加反偏電壓時,自由載流子壽命進一步縮短的原因,併從彊場下自由載流子速度飽和的角度齣髮,得到瞭自由載流子壽命的理論極限值.最後,模擬瞭不同自由載流子壽命情況下SOI脊形波導的喇曼淨增益隨著輸入泵浦光功率密度的變化麯線,為硅基喇曼放大器的進一步研究指明瞭方嚮.
연구료용우나만방대적절연규(SOI)척형파도중자유재류자수명여비선성광학손모적관계.통과이론추도결합이유수치모의적방법,제출료대유령반편pin결구적SOI척형파도중자유재류자수명적해석표체식,해해석표체식여타인적실험결과상부.결과표명,비기불대pin결구적파도,대유령반편pin결구적파도중적자유재류자수명최다가이축단80%.동시,연구료pin결구외가반편전압시,자유재류자수명진일보축단적원인,병종강장하자유재류자속도포화적각도출발,득도료자유재류자수명적이론겁한치.최후,모의료불동자유재류자수명정황하SOI척형파도적나만정증익수착수입빙포광공솔밀도적변화곡선,위규기나만방대기적진일보연구지명료방향.
