半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
2期
334-337
,共4页
吕红亮%张义门%张玉明%车勇%王悦湖
呂紅亮%張義門%張玉明%車勇%王悅湖
려홍량%장의문%장옥명%차용%왕열호
SiC%MESFET%自热效应%深能级陷阱
SiC%MESFET%自熱效應%深能級陷阱
SiC%MESFET%자열효응%심능급함정
针对4H-SiC射频MESFET中的自热效应,建立了基于解析模型的材料参数温度模型和器件直流模型.研究了由陷阱造成的背栅效应,并结合材料的温度特性分析了温度升高对器件特性的影响.分析了陷阱对器件特性的影响,并进一步阐明了陷落-发射机制.计算得到陷阱能级为1.07eV,俘获截面为1×10-8cm2,器件的自升温达到100K以上,能够较好地反映实验结果.分析结果表明,背栅电势随陷阱浓度的增大而增大,并随着漏极电压的增大而减小,在室温下达到～3V.另外,由于器件中存在自热效应,背栅电势随漏压的变化加剧.这些模拟分析对实际器件的设计及工艺制造提供了理论上的依据.
針對4H-SiC射頻MESFET中的自熱效應,建立瞭基于解析模型的材料參數溫度模型和器件直流模型.研究瞭由陷阱造成的揹柵效應,併結閤材料的溫度特性分析瞭溫度升高對器件特性的影響.分析瞭陷阱對器件特性的影響,併進一步闡明瞭陷落-髮射機製.計算得到陷阱能級為1.07eV,俘穫截麵為1×10-8cm2,器件的自升溫達到100K以上,能夠較好地反映實驗結果.分析結果錶明,揹柵電勢隨陷阱濃度的增大而增大,併隨著漏極電壓的增大而減小,在室溫下達到～3V.另外,由于器件中存在自熱效應,揹柵電勢隨漏壓的變化加劇.這些模擬分析對實際器件的設計及工藝製造提供瞭理論上的依據.
침대4H-SiC사빈MESFET중적자열효응,건립료기우해석모형적재료삼수온도모형화기건직류모형.연구료유함정조성적배책효응,병결합재료적온도특성분석료온도승고대기건특성적영향.분석료함정대기건특성적영향,병진일보천명료함락-발사궤제.계산득도함정능급위1.07eV,부획절면위1×10-8cm2,기건적자승온체도100K이상,능구교호지반영실험결과.분석결과표명,배책전세수함정농도적증대이증대,병수착루겁전압적증대이감소,재실온하체도～3V.령외,유우기건중존재자열효응,배책전세수루압적변화가극.저사모의분석대실제기건적설계급공예제조제공료이론상적의거.
