微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2009年
1期
25-28,33
,共5页
周永峰%戴庆元%林刚磊%李冬超%邵金柱%姚辉亚
週永峰%戴慶元%林剛磊%李鼕超%邵金柱%姚輝亞
주영봉%대경원%림강뢰%리동초%소금주%요휘아
A/D转换器%带隙基准电压源%CMOS%启动电路
A/D轉換器%帶隙基準電壓源%CMOS%啟動電路
A/D전환기%대극기준전압원%CMOS%계동전로
设计了一种用于CMoS A/D转换器的带隙基准电压源.该电路消除了传统带隙基准电压源中运算放大器的失调电压及电源电压抑制比对基准源指标的限制,具有很高的精度和较好的电源电压抑制比.电路采用中芯国际(SMIC)0.35μm CMOS N阱工艺.HSPICE仿真结果表明,在3.3 V条件下,在-40℃～125℃范围内,带隙基准电压源的温度系数为2.4×10-6V/℃,电源电压抑制比为88 dB@1 kHz,功耗为0.12 mW.
設計瞭一種用于CMoS A/D轉換器的帶隙基準電壓源.該電路消除瞭傳統帶隙基準電壓源中運算放大器的失調電壓及電源電壓抑製比對基準源指標的限製,具有很高的精度和較好的電源電壓抑製比.電路採用中芯國際(SMIC)0.35μm CMOS N阱工藝.HSPICE倣真結果錶明,在3.3 V條件下,在-40℃～125℃範圍內,帶隙基準電壓源的溫度繫數為2.4×10-6V/℃,電源電壓抑製比為88 dB@1 kHz,功耗為0.12 mW.
설계료일충용우CMoS A/D전환기적대극기준전압원.해전로소제료전통대극기준전압원중운산방대기적실조전압급전원전압억제비대기준원지표적한제,구유흔고적정도화교호적전원전압억제비.전로채용중심국제(SMIC)0.35μm CMOS N정공예.HSPICE방진결과표명,재3.3 V조건하,재-40℃～125℃범위내,대극기준전압원적온도계수위2.4×10-6V/℃,전원전압억제비위88 dB@1 kHz,공모위0.12 mW.
