西南民族大学学报（自然科学版）
西南民族大學學報（自然科學版）
서남민족대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTHWEST NATIONALITIES COLLEGE·NATURAL SCIENCE EDITION
2009年
3期
622-625
,共4页
SOI%SIMOX%辐射%高压%LDMOS
SOI%SIMOX%輻射%高壓%LDMOS
SOI%SIMOX%복사%고압%LDMOS
通过增加一次高压注入, 对0.8μm SOI CMOS工艺平台进行智能电压扩展. 在SIMOX材料上设计并实现了兼容该工艺的横向高压器件, 实现了低压CMOS与高压LDMOS的单片集成. 在硅膜厚度为205nm、埋氧层厚度为375nm的SIMOX材料上, 研制出阈值电压、击穿电压分别为1.3V、38V的高压LDMOS. 此高低压兼容SOI技术可将高低压器件单片集成, 节约了芯片成本, 提高了可靠性.
通過增加一次高壓註入, 對0.8μm SOI CMOS工藝平檯進行智能電壓擴展. 在SIMOX材料上設計併實現瞭兼容該工藝的橫嚮高壓器件, 實現瞭低壓CMOS與高壓LDMOS的單片集成. 在硅膜厚度為205nm、埋氧層厚度為375nm的SIMOX材料上, 研製齣閾值電壓、擊穿電壓分彆為1.3V、38V的高壓LDMOS. 此高低壓兼容SOI技術可將高低壓器件單片集成, 節約瞭芯片成本, 提高瞭可靠性.
통과증가일차고압주입, 대0.8μm SOI CMOS공예평태진행지능전압확전. 재SIMOX재료상설계병실현료겸용해공예적횡향고압기건, 실현료저압CMOS여고압LDMOS적단편집성. 재규막후도위205nm、매양층후도위375nm적SIMOX재료상, 연제출역치전압、격천전압분별위1.3V、38V적고압LDMOS. 차고저압겸용SOI기술가장고저압기건단편집성, 절약료심편성본, 제고료가고성.
