固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
3期
213-217,262
,共6页
4H-SiC%电力电子器件
4H-SiC%電力電子器件
4H-SiC%전력전자기건
与硅相比,4H-SiC材料具有高功率、耐高温、高频、高集成度、高效率、高抗辐射等优势,是制作电力电子器件的理想材料,近十年以来SiC电力电子器件性能不断提高.回顾了SiC电力电子器件的发展,总结了材料、工艺和器件所面对的技术问题.笔者认为SiC JBS二极管和MOSFET将成为SiC的主流器件,将在今后十年内获得长足的发展.
與硅相比,4H-SiC材料具有高功率、耐高溫、高頻、高集成度、高效率、高抗輻射等優勢,是製作電力電子器件的理想材料,近十年以來SiC電力電子器件性能不斷提高.迴顧瞭SiC電力電子器件的髮展,總結瞭材料、工藝和器件所麵對的技術問題.筆者認為SiC JBS二極管和MOSFET將成為SiC的主流器件,將在今後十年內穫得長足的髮展.
여규상비,4H-SiC재료구유고공솔、내고온、고빈、고집성도、고효솔、고항복사등우세,시제작전력전자기건적이상재료,근십년이래SiC전력전자기건성능불단제고.회고료SiC전력전자기건적발전,총결료재료、공예화기건소면대적기술문제.필자인위SiC JBS이겁관화MOSFET장성위SiC적주류기건,장재금후십년내획득장족적발전.
