快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰
쾌속열퇴화대GaAs/AlGaAs양자정홍외탐측기적수식
Modification of GaAs/A1GaAs Quantum Well Infrared Photodetectors by Rapid Thermal Annealing
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2000年 3期 264-267 ,共4页

    李宁%刘兴权%李娜%陈效双%陆卫%徐文兰%袁先璋%沈学础%黄绮%周均铭

    리저%류흥권%리나%진효쌍%륙위%서문란%원선장%침학출%황기%주균명

    量子阱%红外探测器%快速退火%光电流谱 量子阱%紅外探測器%快速退火%光電流譜
    양자정%홍외탐측기%쾌속퇴화%광전류보
    应用快速热退火的方法将GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的峰值响应波长从7.7μm移动到8～14μm大气窗口内.通过测量单元器件的光电流谱、响应率和I-V特性，分析了快速热退火对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器性能的影响.
    응용쾌속열퇴화적방법장GaAs/AlGaAs다양자정홍외탐측기적봉치향응파장종7.7μm이동도8～14μm대기창구내.통과측량단원기건적광전류보、향응솔화I-V특성，분석료쾌속열퇴화대GaAs/AlGaAs다양자정홍외탐측기성능적영향.
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