半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2000年
2期
150-152
,共3页
唐璧玉%杨国伟%任志昂%蔡孟秋
唐璧玉%楊國偉%任誌昂%蔡孟鞦
당벽옥%양국위%임지앙%채맹추
化学汽相淀积%定向金刚石膜%无定形碳%表面扩散
化學汽相澱積%定嚮金剛石膜%無定形碳%錶麵擴散
화학기상정적%정향금강석막%무정형탄%표면확산
采用热丝化学汽相淀积(CVD),未用别的辅助措施,合成了(100)晶面的金刚石膜.结合CVD金刚石成核的微观过程,探讨了定向金刚石膜的形成机理.发现和研究了表面扩散对CVD金刚石成核的重要影响.
採用熱絲化學汽相澱積(CVD),未用彆的輔助措施,閤成瞭(100)晶麵的金剛石膜.結閤CVD金剛石成覈的微觀過程,探討瞭定嚮金剛石膜的形成機理.髮現和研究瞭錶麵擴散對CVD金剛石成覈的重要影響.
채용열사화학기상정적(CVD),미용별적보조조시,합성료(100)정면적금강석막.결합CVD금강석성핵적미관과정,탐토료정향금강석막적형성궤리.발현화연구료표면확산대CVD금강석성핵적중요영향.
