电子工艺技术
電子工藝技術
전자공예기술
ELECTRONICS PROCESS TECHNOLOGY
2004年
3期
112-114
,共3页
FT-IR%薄膜微波电路%光刻胶%厚度
FT-IR%薄膜微波電路%光刻膠%厚度
FT-IR%박막미파전로%광각효%후도
介绍了一种无损、快速、准确测定有机薄膜厚度的新方法-FT-IR反射-干涉光谱法.对测厚的原理进行了分析,将此方法用于薄膜微波电路生产中光刻胶和聚酰亚胺厚度的测定,并与传统的用台阶仪测厚方法进行比较. FT-IR反射-干涉光谱法更方便、快捷、更准确,避免了光刻的过程和光刻显影过程中显影液对膜厚的减损,以及台阶测厚仪本身可能造成的测量误差.
介紹瞭一種無損、快速、準確測定有機薄膜厚度的新方法-FT-IR反射-榦涉光譜法.對測厚的原理進行瞭分析,將此方法用于薄膜微波電路生產中光刻膠和聚酰亞胺厚度的測定,併與傳統的用檯階儀測厚方法進行比較. FT-IR反射-榦涉光譜法更方便、快捷、更準確,避免瞭光刻的過程和光刻顯影過程中顯影液對膜厚的減損,以及檯階測厚儀本身可能造成的測量誤差.
개소료일충무손、쾌속、준학측정유궤박막후도적신방법-FT-IR반사-간섭광보법.대측후적원리진행료분석,장차방법용우박막미파전로생산중광각효화취선아알후도적측정,병여전통적용태계의측후방법진행비교. FT-IR반사-간섭광보법경방편、쾌첩、경준학,피면료광각적과정화광각현영과정중현영액대막후적감손,이급태계측후의본신가능조성적측량오차.