材料保护
材料保護
재료보호
MATERIALS PROTECTION
2005年
11期
10-13
,共4页
黄令%林克发%杨防祖%许书楷%周绍民
黃令%林剋髮%楊防祖%許書楷%週紹民
황령%림극발%양방조%허서해%주소민
耐蚀性%缓蚀效率%3-巯基丙基三甲氧基硅烷%自组装膜
耐蝕性%緩蝕效率%3-巰基丙基三甲氧基硅烷%自組裝膜
내식성%완식효솔%3-구기병기삼갑양기규완%자조장막
为了提高铜的耐蚀性,用自组装技术在铜表面上制备了3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTS)自组装膜. 利用红外光谱和扫描电子显微镜研究了该膜的结构,运用极化曲线和交流阻抗图谱等电化学方法考察了 MPTS膜在0.5 mol/L NaOH溶液中对铜电极的缓蚀性能.结果表明,MPTS在铜表面可能以化学吸附方式强烈吸附到铜表面, 同时在表面以Si-O-Si键自我交联形成了线性低聚物, MPTS浓度越高, 其膜更致密.与裸铜电极相比,经MPTS修饰后的铜的腐蚀电位正移200 mV, 腐蚀电流降低一个数量级,其缓蚀效率为86.5%.
為瞭提高銅的耐蝕性,用自組裝技術在銅錶麵上製備瞭3-巰基丙基三甲氧基硅烷(MPTS)自組裝膜. 利用紅外光譜和掃描電子顯微鏡研究瞭該膜的結構,運用極化麯線和交流阻抗圖譜等電化學方法攷察瞭 MPTS膜在0.5 mol/L NaOH溶液中對銅電極的緩蝕性能.結果錶明,MPTS在銅錶麵可能以化學吸附方式彊烈吸附到銅錶麵, 同時在錶麵以Si-O-Si鍵自我交聯形成瞭線性低聚物, MPTS濃度越高, 其膜更緻密.與裸銅電極相比,經MPTS脩飾後的銅的腐蝕電位正移200 mV, 腐蝕電流降低一箇數量級,其緩蝕效率為86.5%.
위료제고동적내식성,용자조장기술재동표면상제비료3-구기병기삼갑양기규완(MPTS)자조장막. 이용홍외광보화소묘전자현미경연구료해막적결구,운용겁화곡선화교류조항도보등전화학방법고찰료 MPTS막재0.5 mol/L NaOH용액중대동전겁적완식성능.결과표명,MPTS재동표면가능이화학흡부방식강렬흡부도동표면, 동시재표면이Si-O-Si건자아교련형성료선성저취물, MPTS농도월고, 기막경치밀.여라동전겁상비,경MPTS수식후적동적부식전위정이200 mV, 부식전류강저일개수량급,기완식효솔위86.5%.
