核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2006年
4期
470-473,495
,共5页
李爱武%余学峰%任迪远%汪东%匡治兵%牛振红
李愛武%餘學峰%任迪遠%汪東%劻治兵%牛振紅
리애무%여학봉%임적원%왕동%광치병%우진홍
CMOS%预辐照%筛选%退火
CMOS%預輻照%篩選%退火
CMOS%예복조%사선%퇴화
预辐照筛选成功的关键取决于预辐照后器件损伤的可恢复性及再次辐照时器件损伤的可重复性.通过对CMOS器件进行大量不同条件下的60Co γ总剂量辐照实验和退火实验,探讨了能使器件预辐照后的损伤得到尽可能大地恢复的辐照、特别是退火条件,并通过反复达4次的CC4007器件"辐照-退火-辐照"试验,研究了CMOS器件退火后再次辐照时电参数变化的可重复性.
預輻照篩選成功的關鍵取決于預輻照後器件損傷的可恢複性及再次輻照時器件損傷的可重複性.通過對CMOS器件進行大量不同條件下的60Co γ總劑量輻照實驗和退火實驗,探討瞭能使器件預輻照後的損傷得到儘可能大地恢複的輻照、特彆是退火條件,併通過反複達4次的CC4007器件"輻照-退火-輻照"試驗,研究瞭CMOS器件退火後再次輻照時電參數變化的可重複性.
예복조사선성공적관건취결우예복조후기건손상적가회복성급재차복조시기건손상적가중복성.통과대CMOS기건진행대량불동조건하적60Co γ총제량복조실험화퇴화실험,탐토료능사기건예복조후적손상득도진가능대지회복적복조、특별시퇴화조건,병통과반복체4차적CC4007기건"복조-퇴화-복조"시험,연구료CMOS기건퇴화후재차복조시전삼수변화적가중복성.
