电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2009年
9期
34-37
,共4页
孙宇澄%石维%覃宝全%魏建帅%朱建国
孫宇澄%石維%覃寶全%魏建帥%硃建國
손우징%석유%담보전%위건수%주건국
无机非金属材料%高居里温度%钪酸铋–钛酸铅%压电陶瓷
無機非金屬材料%高居裏溫度%鈧痠鉍–鈦痠鉛%壓電陶瓷
무궤비금속재료%고거리온도%항산필–태산연%압전도자
采用固相反应法,制备了0.10BiInO3-(0.90-x)BiScO3-xPbTiO3 (BISPTx,0.55 ≤ x ≤ 0.70)压电陶瓷,并对陶瓷样品的相结构,表面形貌和电性能进行了研究.结果表明,BiInO3和BiScO3-PbTiO3能够形成很好的固溶体,在1 070 ℃烧结2 h即可形成稳定钙钛矿结构的BISPTx陶瓷.当x = 0.60时,BISPTx陶瓷具有优良的电学性能:d33 = 330 pC/N,kp = 0.423,tC = 420 ℃.BiInO3的掺入可有效提高BISPTx陶瓷的tC,并提高其电阻率,降低漏导电流,使其在较高温度(300 ℃)下仍保持较低的tanδ(＜0.05).
採用固相反應法,製備瞭0.10BiInO3-(0.90-x)BiScO3-xPbTiO3 (BISPTx,0.55 ≤ x ≤ 0.70)壓電陶瓷,併對陶瓷樣品的相結構,錶麵形貌和電性能進行瞭研究.結果錶明,BiInO3和BiScO3-PbTiO3能夠形成很好的固溶體,在1 070 ℃燒結2 h即可形成穩定鈣鈦礦結構的BISPTx陶瓷.噹x = 0.60時,BISPTx陶瓷具有優良的電學性能:d33 = 330 pC/N,kp = 0.423,tC = 420 ℃.BiInO3的摻入可有效提高BISPTx陶瓷的tC,併提高其電阻率,降低漏導電流,使其在較高溫度(300 ℃)下仍保持較低的tanδ(＜0.05).
채용고상반응법,제비료0.10BiInO3-(0.90-x)BiScO3-xPbTiO3 (BISPTx,0.55 ≤ x ≤ 0.70)압전도자,병대도자양품적상결구,표면형모화전성능진행료연구.결과표명,BiInO3화BiScO3-PbTiO3능구형성흔호적고용체,재1 070 ℃소결2 h즉가형성은정개태광결구적BISPTx도자.당x = 0.60시,BISPTx도자구유우량적전학성능:d33 = 330 pC/N,kp = 0.423,tC = 420 ℃.BiInO3적참입가유효제고BISPTx도자적tC,병제고기전조솔,강저루도전류,사기재교고온도(300 ℃)하잉보지교저적tanδ(＜0.05).
