电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2010年
7期
33-36,70
,共5页
邱红娟%陆春华%倪亚茹%许仲梓
邱紅娟%陸春華%倪亞茹%許仲梓
구홍연%륙춘화%예아여%허중재
氢氧化铽纳米棒%二氧化硅薄膜%水热法%发光性能
氫氧化鋱納米棒%二氧化硅薄膜%水熱法%髮光性能
경양화특납미봉%이양화규박막%수열법%발광성능
采用水热法制备了纯相Tb(OH)3纳米棒,并以Tb(OH)3纳米棒为掺杂剂制备了TO3+:SiO2光转换功能薄膜.研究了反应温度、离子浓度以及pH值对Tb(OH)3纳米棒形貌结构的影响,同时研究了Tb(OH)3纳米棒和Tb3+:SiO2薄膜的发光性能.结果表明:在pH值为9.0,水热温度为180℃,离子浓度为0.25 mol/L时合成的纳米棒在492,543,584和621 nm处都有明显的荧光发射;而且,与其他样品相比,其荧光强度最强.在紫外光激发下,Tb3+:SiO2薄膜在表现出Tb3+特征发光的同时,也在400～480 nm处表现出较强的宽带蓝紫光发射.
採用水熱法製備瞭純相Tb(OH)3納米棒,併以Tb(OH)3納米棒為摻雜劑製備瞭TO3+:SiO2光轉換功能薄膜.研究瞭反應溫度、離子濃度以及pH值對Tb(OH)3納米棒形貌結構的影響,同時研究瞭Tb(OH)3納米棒和Tb3+:SiO2薄膜的髮光性能.結果錶明:在pH值為9.0,水熱溫度為180℃,離子濃度為0.25 mol/L時閤成的納米棒在492,543,584和621 nm處都有明顯的熒光髮射;而且,與其他樣品相比,其熒光彊度最彊.在紫外光激髮下,Tb3+:SiO2薄膜在錶現齣Tb3+特徵髮光的同時,也在400～480 nm處錶現齣較彊的寬帶藍紫光髮射.
채용수열법제비료순상Tb(OH)3납미봉,병이Tb(OH)3납미봉위참잡제제비료TO3+:SiO2광전환공능박막.연구료반응온도、리자농도이급pH치대Tb(OH)3납미봉형모결구적영향,동시연구료Tb(OH)3납미봉화Tb3+:SiO2박막적발광성능.결과표명:재pH치위9.0,수열온도위180℃,리자농도위0.25 mol/L시합성적납미봉재492,543,584화621 nm처도유명현적형광발사;이차,여기타양품상비,기형광강도최강.재자외광격발하,Tb3+:SiO2박막재표현출Tb3+특정발광적동시,야재400～480 nm처표현출교강적관대람자광발사.
