人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
4期
872-875
,共4页
马蕾%郭延岭%张志刚%江子荣%娄建忠%彭英才
馬蕾%郭延嶺%張誌剛%江子榮%婁建忠%彭英纔
마뢰%곽연령%장지강%강자영%루건충%팽영재
高频感应加热化学气相沉积%石英衬底%多晶Si膜%结构特性
高頻感應加熱化學氣相沉積%石英襯底%多晶Si膜%結構特性
고빈감응가열화학기상침적%석영츤저%다정Si막%결구특성
利用高频感应加热化学气相沉积工艺,以H2稀释的SiH4作为反应气体源,在未抛光的粗糙石英衬底上直接沉积制备了具有均匀分布的大晶粒多晶Si膜.采用扫描电子显微镜、X射线衍射和可见-紫外分光光度计等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸、择优取向与光反射等特性.结果表明,多晶Si膜中Si晶粒的尺寸大小和密度分布不仅与工艺参数有关,而且强烈依赖于衬底的表面状况.1000℃下沉积薄膜的平均晶粒尺寸为～3μm,择优取向为<111>晶向.反射谱测量表明,920℃下制备薄膜的反射率比1000℃下制备的更低,最低值达18.4％,这应归功于前者具有更大的表面粗糙度.
利用高頻感應加熱化學氣相沉積工藝,以H2稀釋的SiH4作為反應氣體源,在未拋光的粗糙石英襯底上直接沉積製備瞭具有均勻分佈的大晶粒多晶Si膜.採用掃描電子顯微鏡、X射線衍射和可見-紫外分光光度計等檢測手段,測量和分析瞭沉積膜層的錶麵形貌、晶粒呎吋、擇優取嚮與光反射等特性.結果錶明,多晶Si膜中Si晶粒的呎吋大小和密度分佈不僅與工藝參數有關,而且彊烈依賴于襯底的錶麵狀況.1000℃下沉積薄膜的平均晶粒呎吋為～3μm,擇優取嚮為<111>晶嚮.反射譜測量錶明,920℃下製備薄膜的反射率比1000℃下製備的更低,最低值達18.4％,這應歸功于前者具有更大的錶麵粗糙度.
이용고빈감응가열화학기상침적공예,이H2희석적SiH4작위반응기체원,재미포광적조조석영츤저상직접침적제비료구유균균분포적대정립다정Si막.채용소묘전자현미경、X사선연사화가견-자외분광광도계등검측수단,측량화분석료침적막층적표면형모、정립척촌、택우취향여광반사등특성.결과표명,다정Si막중Si정립적척촌대소화밀도분포불부여공예삼수유관,이차강렬의뢰우츤저적표면상황.1000℃하침적박막적평균정립척촌위～3μm,택우취향위<111>정향.반사보측량표명,920℃하제비박막적반사솔비1000℃하제비적경저,최저치체18.4％,저응귀공우전자구유경대적표면조조도.
