传感技术学报
傳感技術學報
전감기술학보
Journal of Transduction Technology
2012年
1期
25-28
,共4页
陈颖慧%高杨%席仕伟%赵兴海
陳穎慧%高楊%席仕偉%趙興海
진영혜%고양%석사위%조흥해
声表面波滤波器%ZnO薄膜%金刚石%射频磁控溅射%氩氧比%退火温度
聲錶麵波濾波器%ZnO薄膜%金剛石%射頻磁控濺射%氬氧比%退火溫度
성표면파려파기%ZnO박막%금강석%사빈자공천사%아양비%퇴화온도
采用射频磁控溅射方法分别在硅基底和金刚石基底上制备ZnO薄膜,研究了硅和金刚石衬底的不同对ZnO薄膜生长机理的影响,同时分析了氩氧比和退火温度这两个工艺参数对薄膜的晶格取向和表面形貌的影响.利用XRD和AFM对ZnO压电薄膜的性能进行了测试.结果显示,金刚石基片上制备的薄膜表面状态远优于硅基片上的薄膜表面状态;在同类型基底上生长的ZnO薄膜,薄膜的晶格取向随着氩氧比的升高而增强；对于硅基底上生长的ZnO薄膜,适当的退火能够成倍地提高薄膜的c轴取向性.
採用射頻磁控濺射方法分彆在硅基底和金剛石基底上製備ZnO薄膜,研究瞭硅和金剛石襯底的不同對ZnO薄膜生長機理的影響,同時分析瞭氬氧比和退火溫度這兩箇工藝參數對薄膜的晶格取嚮和錶麵形貌的影響.利用XRD和AFM對ZnO壓電薄膜的性能進行瞭測試.結果顯示,金剛石基片上製備的薄膜錶麵狀態遠優于硅基片上的薄膜錶麵狀態;在同類型基底上生長的ZnO薄膜,薄膜的晶格取嚮隨著氬氧比的升高而增彊；對于硅基底上生長的ZnO薄膜,適噹的退火能夠成倍地提高薄膜的c軸取嚮性.
채용사빈자공천사방법분별재규기저화금강석기저상제비ZnO박막,연구료규화금강석츤저적불동대ZnO박막생장궤리적영향,동시분석료아양비화퇴화온도저량개공예삼수대박막적정격취향화표면형모적영향.이용XRD화AFM대ZnO압전박막적성능진행료측시.결과현시,금강석기편상제비적박막표면상태원우우규기편상적박막표면상태;재동류형기저상생장적ZnO박막,박막적정격취향수착아양비적승고이증강；대우규기저상생장적ZnO박막,괄당적퇴화능구성배지제고박막적c축취향성.
