半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
5期
347-350
,共4页
刘帅%要志宏%赵瑞华%宋学峰
劉帥%要誌宏%趙瑞華%宋學峰
류수%요지굉%조서화%송학봉
开关%模型%砷化镓%赝配高电子迁移率晶体管%单片微波集成电路
開關%模型%砷化鎵%贗配高電子遷移率晶體管%單片微波集成電路
개관%모형%신화가%안배고전자천이솔정체관%단편미파집성전로
在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,准确的器件模型对于提高电路设计成功率和缩短电路研发周期起着重要作用.首先采用标准的GaAs MMIC工艺制造出不同栅指数和单位栅宽的开关PHEMT器件,然后对加工的开关电路在“开”态(Vgs=0 V)和“关”态(Vgs=-5V)进行宽频率范围内的测量,基于测量结果建立起一个参数化的GaAs PHEMT开关等效电路模型,最后通过单刀单掷(SPST)开关来验证参数化模型.应用该参数化模型设计的电路实测与仿真结果基本吻合,证明参数化的GaAs PHEMT模型是可用的.该模型可用于30 GHz以下GaAs PHEMT工艺开关MMIC电路仿真设计.
在GaAs單片微波集成電路(MMIC)設計中,準確的器件模型對于提高電路設計成功率和縮短電路研髮週期起著重要作用.首先採用標準的GaAs MMIC工藝製造齣不同柵指數和單位柵寬的開關PHEMT器件,然後對加工的開關電路在“開”態(Vgs=0 V)和“關”態(Vgs=-5V)進行寬頻率範圍內的測量,基于測量結果建立起一箇參數化的GaAs PHEMT開關等效電路模型,最後通過單刀單擲(SPST)開關來驗證參數化模型.應用該參數化模型設計的電路實測與倣真結果基本吻閤,證明參數化的GaAs PHEMT模型是可用的.該模型可用于30 GHz以下GaAs PHEMT工藝開關MMIC電路倣真設計.
재GaAs단편미파집성전로(MMIC)설계중,준학적기건모형대우제고전로설계성공솔화축단전로연발주기기착중요작용.수선채용표준적GaAs MMIC공예제조출불동책지수화단위책관적개관PHEMT기건,연후대가공적개관전로재“개”태(Vgs=0 V)화“관”태(Vgs=-5V)진행관빈솔범위내적측량,기우측량결과건립기일개삼수화적GaAs PHEMT개관등효전로모형,최후통과단도단척(SPST)개관래험증삼수화모형.응용해삼수화모형설계적전로실측여방진결과기본문합,증명삼수화적GaAs PHEMT모형시가용적.해모형가용우30 GHz이하GaAs PHEMT공예개관MMIC전로방진설계.
