功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2005年
2期
183-186
,共4页
唐田%张永刚%郑燕兰%李爱珍
唐田%張永剛%鄭燕蘭%李愛珍
당전%장영강%정연란%리애진
InGaAsSb%分子束外延%多量子阱%光致发光
InGaAsSb%分子束外延%多量子阱%光緻髮光
InGaAsSb%분자속외연%다양자정%광치발광
研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性.通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓.
研究瞭InGaAsSb多量子阱材料光緻髮光特性.通過實驗數據分析和理論計算,髮現對于分子束外延(MBE)法生長的InGaAsSb多量子阱材料,生長時的襯底溫度決定著材料的質量,閤適的襯底溫度可以明顯的增加其髮射的光緻髮光彊度;組分相同時,在一定範圍內,隨著阱厚的增加,其髮射的光緻髮光波長也隨著增加,但是隨著阱厚增大,波長增加趨于平緩.
연구료InGaAsSb다양자정재료광치발광특성.통과실험수거분석화이론계산,발현대우분자속외연(MBE)법생장적InGaAsSb다양자정재료,생장시적츤저온도결정착재료적질량,합괄적츤저온도가이명현적증가기발사적광치발광강도;조분상동시,재일정범위내,수착정후적증가,기발사적광치발광파장야수착증가,단시수착정후증대,파장증가추우평완.
