半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2005年
4期
323-326
,共4页
ZnO薄膜%热氧化法%X射线衍射%光致发光
ZnO薄膜%熱氧化法%X射線衍射%光緻髮光
ZnO박막%열양화법%X사선연사%광치발광
在空气中利用热氧化方法分别在P型硅、高阻硅、陶瓷以及N型硅衬底上制备了氧化锌(ZnO)薄膜.同时在氧气中、P型硅衬底上氧化制备少量氧化锌薄膜加以比较.氧化时间固定为1 h,氧化温度300℃～800℃.采用X射线衍射(XRD)以及光致发光(PL)光谱研究比较薄膜的结构和PL特性.发现在氧气中氧化样品质量明显好于在空气中氧化的样品.氧气中300℃氧化时有最窄的半高宽和最大的晶粒尺寸.在高阻硅材料衬底上制备的ZnO薄膜表现出较好的紫外发射带,而在陶瓷材料上表现出较好的绿色发射带.而N型材料也是较好的紫外发射材料,P型材料在低温下表现出较好的发光特性.
在空氣中利用熱氧化方法分彆在P型硅、高阻硅、陶瓷以及N型硅襯底上製備瞭氧化鋅(ZnO)薄膜.同時在氧氣中、P型硅襯底上氧化製備少量氧化鋅薄膜加以比較.氧化時間固定為1 h,氧化溫度300℃～800℃.採用X射線衍射(XRD)以及光緻髮光(PL)光譜研究比較薄膜的結構和PL特性.髮現在氧氣中氧化樣品質量明顯好于在空氣中氧化的樣品.氧氣中300℃氧化時有最窄的半高寬和最大的晶粒呎吋.在高阻硅材料襯底上製備的ZnO薄膜錶現齣較好的紫外髮射帶,而在陶瓷材料上錶現齣較好的綠色髮射帶.而N型材料也是較好的紫外髮射材料,P型材料在低溫下錶現齣較好的髮光特性.
재공기중이용열양화방법분별재P형규、고조규、도자이급N형규츤저상제비료양화자(ZnO)박막.동시재양기중、P형규츤저상양화제비소량양화자박막가이비교.양화시간고정위1 h,양화온도300℃～800℃.채용X사선연사(XRD)이급광치발광(PL)광보연구비교박막적결구화PL특성.발현재양기중양화양품질량명현호우재공기중양화적양품.양기중300℃양화시유최착적반고관화최대적정립척촌.재고조규재료츤저상제비적ZnO박막표현출교호적자외발사대,이재도자재료상표현출교호적록색발사대.이N형재료야시교호적자외발사재료,P형재료재저온하표현출교호적발광특성.
