真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2005年
5期
335-338,366
,共5页
方应翠%解志强%赵有源%章壮健%陆明
方應翠%解誌彊%趙有源%章壯健%陸明
방응취%해지강%조유원%장장건%륙명
nc-Si/SiO2%光致发光%CeF3掺杂%能量传递
nc-Si/SiO2%光緻髮光%CeF3摻雜%能量傳遞
nc-Si/SiO2%광치발광%CeF3참잡%능량전체
真空蒸发SiO粉末,在Si(100)基体上制备SiOx薄膜,后续氮气中1100 ℃退火制备镶嵌在SiO2基体中的纳米晶Si体系(nc-Si/SiO2),然后将该样品放入真空室,在其上沉积CeF3薄膜,不同温度下热处理使Ce3+扩散到nc-Si附近,实现对纳米晶Si的掺杂.通过改变CeF3薄膜厚度调节掺杂浓度,在一定的掺杂浓度下纳米晶Si的光致发光强度明显改善,激发光谱证实荧光增强机制是Ce3+通过强耦合过程对纳米晶Si的能量传递.
真空蒸髮SiO粉末,在Si(100)基體上製備SiOx薄膜,後續氮氣中1100 ℃退火製備鑲嵌在SiO2基體中的納米晶Si體繫(nc-Si/SiO2),然後將該樣品放入真空室,在其上沉積CeF3薄膜,不同溫度下熱處理使Ce3+擴散到nc-Si附近,實現對納米晶Si的摻雜.通過改變CeF3薄膜厚度調節摻雜濃度,在一定的摻雜濃度下納米晶Si的光緻髮光彊度明顯改善,激髮光譜證實熒光增彊機製是Ce3+通過彊耦閤過程對納米晶Si的能量傳遞.
진공증발SiO분말,재Si(100)기체상제비SiOx박막,후속담기중1100 ℃퇴화제비양감재SiO2기체중적납미정Si체계(nc-Si/SiO2),연후장해양품방입진공실,재기상침적CeF3박막,불동온도하열처리사Ce3+확산도nc-Si부근,실현대납미정Si적참잡.통과개변CeF3박막후도조절참잡농도,재일정적참잡농도하납미정Si적광치발광강도명현개선,격발광보증실형광증강궤제시Ce3+통과강우합과정대납미정Si적능량전체.
