总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器
총제량복조가고적PDSOI 8위미공제기
Total dose radiation hard PDSOI CMOS 8 BIT MCU
  • 万方数据
    功能材料与器件学报 공능재료여기건학보
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
    2008年 3期 619-623 ,共5页

    郭天雷%赵发展%刘刚%海潮和%韩郑生%袁国顺%李素杰%姜明哲%张英武

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    部分耗尽SOI%微控制器%总剂量%辐照加固 部分耗儘SOI%微控製器%總劑量%輻照加固
    부분모진SOI%미공제기%총제량%복조가고
    对辐照加固的部分耗尽(Partially Depleted)SOI 8位微控制器(MCU)的总剂量辐照特性进行研究.该微控制器功能完全兼容intel MCS-51系列的80C51微控制器,采用1.2μm辐照加固的PDSOI CMOS工艺技术制备,芯片尺寸约为6.4mm×6.8mm.对该微控制器及同工艺条件下的MOSFET进行Co60辐照试验表明,在工作电压5V下,其总剂量加固水平高达1×106rad(Si),完全满足航空航天领域应用的要求.
    대복조가고적부분모진(Partially Depleted)SOI 8위미공제기(MCU)적총제량복조특성진행연구.해미공제기공능완전겸용intel MCS-51계렬적80C51미공제기,채용1.2μm복조가고적PDSOI CMOS공예기술제비,심편척촌약위6.4mm×6.8mm.대해미공제기급동공예조건하적MOSFET진행Co60복조시험표명,재공작전압5V하,기총제량가고수평고체1×106rad(Si),완전만족항공항천영역응용적요구.
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