电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2009年
3期
566-569
,共4页
唐立田%张海英%黄清华%李潇%尹军舰
唐立田%張海英%黃清華%李瀟%尹軍艦
당립전%장해영%황청화%리소%윤군함
跨阻放大器%RGC结构%等效输入噪声电流谱密度%0.18μm CMOS工艺
跨阻放大器%RGC結構%等效輸入譟聲電流譜密度%0.18μm CMOS工藝
과조방대기%RGC결구%등효수입조성전류보밀도%0.18μm CMOS공예
采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器.针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3 pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中.测试结果表明单端跨阻增益高达78 dB·Ω,-3 dB带宽超过300 MHz,100 MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3 pA/平方根Hz,功耗仅为14.4 mW.芯片面积(包括所有PAD)为500 μm×460 μm.
採用TSMC 0.18 μm CMOS工藝設計併實現瞭一種高增益、低譟聲和低功耗跨阻放大器.針對某種實用的光電二極管,在寄生電容高達3 pF的情況下,採用RGC輸入、無反饋電阻的電路結構,閤理實現瞭增益、帶寬、譟聲、動態範圍以及低電源電壓等指標間的摺中.測試結果錶明單耑跨阻增益高達78 dB·Ω,-3 dB帶寬超過300 MHz,100 MHz處的等效輸入譟聲電流譜密度低至6.3 pA/平方根Hz,功耗僅為14.4 mW.芯片麵積(包括所有PAD)為500 μm×460 μm.
채용TSMC 0.18 μm CMOS공예설계병실현료일충고증익、저조성화저공모과조방대기.침대모충실용적광전이겁관,재기생전용고체3 pF적정황하,채용RGC수입、무반궤전조적전로결구,합리실현료증익、대관、조성、동태범위이급저전원전압등지표간적절중.측시결과표명단단과조증익고체78 dB·Ω,-3 dB대관초과300 MHz,100 MHz처적등효수입조성전류보밀도저지6.3 pA/평방근Hz,공모부위14.4 mW.심편면적(포괄소유PAD)위500 μm×460 μm.
