半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
1期
41-44
,共4页
光电探测器%读出电路%电容互导放大器%噪声%动态范围
光電探測器%讀齣電路%電容互導放大器%譟聲%動態範圍
광전탐측기%독출전로%전용호도방대기%조성%동태범위
为提高光电探测器的读出性能,设计的电容互阻放大器(CTIA)注入效率大于99%,线性度达99.84%.相关双采样电路(CDS)采用不同控制时序,读出电路可以工作在噪声抑制模式和两次采样模式.噪声抑制模式时读出电路平均噪声为0.91 mV,动态范围为66.85 dB,两次采样模式平均噪声为5.82 mV,动态范围扩展到90.82 dB.
為提高光電探測器的讀齣性能,設計的電容互阻放大器(CTIA)註入效率大于99%,線性度達99.84%.相關雙採樣電路(CDS)採用不同控製時序,讀齣電路可以工作在譟聲抑製模式和兩次採樣模式.譟聲抑製模式時讀齣電路平均譟聲為0.91 mV,動態範圍為66.85 dB,兩次採樣模式平均譟聲為5.82 mV,動態範圍擴展到90.82 dB.
위제고광전탐측기적독출성능,설계적전용호조방대기(CTIA)주입효솔대우99%,선성도체99.84%.상관쌍채양전로(CDS)채용불동공제시서,독출전로가이공작재조성억제모식화량차채양모식.조성억제모식시독출전로평균조성위0.91 mV,동태범위위66.85 dB,량차채양모식평균조성위5.82 mV,동태범위확전도90.82 dB.
