红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2011年
3期
246-249
,共4页
包西昌%张文静%刘诗嘉%李超%李向阳
包西昌%張文靜%劉詩嘉%李超%李嚮暘
포서창%장문정%류시가%리초%리향양
平面型探测器%GaN%离子注入%电流特性%响应率
平麵型探測器%GaN%離子註入%電流特性%響應率
평면형탐측기%GaN%리자주입%전류특성%향응솔
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了p-GaN单晶薄膜.高温(＞1100℃)处理及未处理样品的双晶摇摆曲线测试表明高于1150℃会使材料的晶体质量明显变差,这为平面型紫外探测器制备中的部分注入激活条件提供了选择依据.通过TRIM软件优化了注入条件,在选择性注入改型材料上成功制备了平面GaN p-n结型光电探测器.测试结果表明:室温下的零偏压暗电流密度为4.7 nA/cm2,而-5 V偏压下的暗电流密度则达到了67 μA/cm2.室温下的峰值响应率0.065A/W出现在368 nm处.在低温下器件的峰值响应明显降低,80 K时,360nm处的峰值响应率仅为0.039A/W.禁带宽度、串联电阻、内建电场等是引起探测器响应率随温度降低的原因.
採用金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)方法在藍寶石襯底上製備瞭p-GaN單晶薄膜.高溫(＞1100℃)處理及未處理樣品的雙晶搖襬麯線測試錶明高于1150℃會使材料的晶體質量明顯變差,這為平麵型紫外探測器製備中的部分註入激活條件提供瞭選擇依據.通過TRIM軟件優化瞭註入條件,在選擇性註入改型材料上成功製備瞭平麵GaN p-n結型光電探測器.測試結果錶明:室溫下的零偏壓暗電流密度為4.7 nA/cm2,而-5 V偏壓下的暗電流密度則達到瞭67 μA/cm2.室溫下的峰值響應率0.065A/W齣現在368 nm處.在低溫下器件的峰值響應明顯降低,80 K時,360nm處的峰值響應率僅為0.039A/W.禁帶寬度、串聯電阻、內建電場等是引起探測器響應率隨溫度降低的原因.
채용금속유궤물화학기상침적(MOCVD)방법재람보석츤저상제비료p-GaN단정박막.고온(＞1100℃)처리급미처리양품적쌍정요파곡선측시표명고우1150℃회사재료적정체질량명현변차,저위평면형자외탐측기제비중적부분주입격활조건제공료선택의거.통과TRIM연건우화료주입조건,재선택성주입개형재료상성공제비료평면GaN p-n결형광전탐측기.측시결과표명:실온하적령편압암전류밀도위4.7 nA/cm2,이-5 V편압하적암전류밀도칙체도료67 μA/cm2.실온하적봉치향응솔0.065A/W출현재368 nm처.재저온하기건적봉치향응명현강저,80 K시,360nm처적봉치향응솔부위0.039A/W.금대관도、천련전조、내건전장등시인기탐측기향응솔수온도강저적원인.
