过渡金属Ag、Ir和 Re搀杂硅半导体团簇的电子结构和性质的理论研究
과도금속Ag、Ir화 Re참잡규반도체단족적전자결구화성질적이론연구
Theoretical Investigation on Electronic Structures and Properties of Transition Metal Ag, Ir and Re Doping into Si Clusters
  • 万方数据
    科学技术与工程 과학기술여공정
    SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
    2003年 3期 310-311 ,共2页

    韩聚广%张鹏飞

    한취엄%장붕비

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    과도금속%반도체단족%전자결구화성질%이론연구


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