发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2007年
4期
557-560
,共4页
稀磁半导体%PR光谱%Mn杂质带
稀磁半導體%PR光譜%Mn雜質帶
희자반도체%PR광보%Mn잡질대
室温下我们研究了稀磁半导体(Ga,Mn)As 的光调制反射(PR)光谱,观测到来自样品的Franz-Keldysh 振荡(FKO)信号.随着Mn原子浓度的增加,PR 线形展宽,但是临界点E0 和E0+Δ0没有明显的移动.根据FKO 振荡数据,计算得到样品表面电场强度随Mn原子掺杂浓度的增加而增强.测量到与Mn 原子掺杂相关的杂质带,其能量位置离GaAs价带边～100 meV.根据样品的表面电场强度和表面耗尽层模型,估算样品的空穴浓度为～1017 cm-3,较低的空穴浓度可能与样品具有较低的居里温度有关,或测量的PR信号来自于样品中外延层的部分耗尽区域.
室溫下我們研究瞭稀磁半導體(Ga,Mn)As 的光調製反射(PR)光譜,觀測到來自樣品的Franz-Keldysh 振盪(FKO)信號.隨著Mn原子濃度的增加,PR 線形展寬,但是臨界點E0 和E0+Δ0沒有明顯的移動.根據FKO 振盪數據,計算得到樣品錶麵電場彊度隨Mn原子摻雜濃度的增加而增彊.測量到與Mn 原子摻雜相關的雜質帶,其能量位置離GaAs價帶邊～100 meV.根據樣品的錶麵電場彊度和錶麵耗儘層模型,估算樣品的空穴濃度為～1017 cm-3,較低的空穴濃度可能與樣品具有較低的居裏溫度有關,或測量的PR信號來自于樣品中外延層的部分耗儘區域.
실온하아문연구료희자반도체(Ga,Mn)As 적광조제반사(PR)광보,관측도래자양품적Franz-Keldysh 진탕(FKO)신호.수착Mn원자농도적증가,PR 선형전관,단시림계점E0 화E0+Δ0몰유명현적이동.근거FKO 진탕수거,계산득도양품표면전장강도수Mn원자참잡농도적증가이증강.측량도여Mn 원자참잡상관적잡질대,기능량위치리GaAs개대변～100 meV.근거양품적표면전장강도화표면모진층모형,고산양품적공혈농도위～1017 cm-3,교저적공혈농도가능여양품구유교저적거리온도유관,혹측량적PR신호래자우양품중외연층적부분모진구역.
