半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
10期
899-901
,共3页
低噪声放大器%电磁脉冲%损伤试验%软损伤机理
低譟聲放大器%電磁脈遲%損傷試驗%軟損傷機理
저조성방대기%전자맥충%손상시험%연손상궤리
介绍了电磁脉冲对GaAs低噪声放大器(LNA)损伤机理和损伤模式.利用特定电磁脉冲信号对其进行损伤,通过开帽内部目检、扫描电镜等失效手段和方法,针对该低噪声放大器在电磁脉冲实验中损伤机理及损伤模式进行了分析与讨论.实验表明,GaAs低噪声放大器的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要失效部位表现为有源器件,指出了对GaAs器件加固的一些措施,对器件设计者和使用者具有一定的参考意义.
介紹瞭電磁脈遲對GaAs低譟聲放大器(LNA)損傷機理和損傷模式.利用特定電磁脈遲信號對其進行損傷,通過開帽內部目檢、掃描電鏡等失效手段和方法,針對該低譟聲放大器在電磁脈遲實驗中損傷機理及損傷模式進行瞭分析與討論.實驗錶明,GaAs低譟聲放大器的可靠性問題主要錶現為有源器件、無源器件和環境因素等引入損傷退化,主要失效部位錶現為有源器件,指齣瞭對GaAs器件加固的一些措施,對器件設計者和使用者具有一定的參攷意義.
개소료전자맥충대GaAs저조성방대기(LNA)손상궤리화손상모식.이용특정전자맥충신호대기진행손상,통과개모내부목검、소묘전경등실효수단화방법,침대해저조성방대기재전자맥충실험중손상궤리급손상모식진행료분석여토론.실험표명,GaAs저조성방대기적가고성문제주요표현위유원기건、무원기건화배경인소등인입손상퇴화,주요실효부위표현위유원기건,지출료대GaAs기건가고적일사조시,대기건설계자화사용자구유일정적삼고의의.
