广西科学
廣西科學
엄서과학
GUANGXI SCIENCES
2009年
2期
158-160
,共3页
李福宾%林硕%李建功%沈晓明
李福賓%林碩%李建功%瀋曉明
리복빈%림석%리건공%침효명
GaN%肖特基%紫外探测器%电流输运
GaN%肖特基%紫外探測器%電流輸運
GaN%초특기%자외탐측기%전류수운
为了探明GaN肖特基紫外探测器漏电流问题,提高探测器的性能,在已有的各种电流输运模型的基础上,把宽禁带的GaN基半导体材料(Eg>3.4eV)看作绝缘体,用空间电荷限制电流理论(SCLC)分析由金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长的金属-GaN肖特基紫外探测器样品的I-V和I-V-T曲线.结果表明,SCLC机制控制的电流成分占主导地位,对于两个转换电压V1、V2,在V＜V1的区域电流电压遵循欧姆定律,在V1＜V＜V2的区域遵循幂指数规律I∝Vm,在V＞V2的区域电流电压遵循SCLC平方率.
為瞭探明GaN肖特基紫外探測器漏電流問題,提高探測器的性能,在已有的各種電流輸運模型的基礎上,把寬禁帶的GaN基半導體材料(Eg>3.4eV)看作絕緣體,用空間電荷限製電流理論(SCLC)分析由金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)生長的金屬-GaN肖特基紫外探測器樣品的I-V和I-V-T麯線.結果錶明,SCLC機製控製的電流成分佔主導地位,對于兩箇轉換電壓V1、V2,在V＜V1的區域電流電壓遵循歐姆定律,在V1＜V＜V2的區域遵循冪指數規律I∝Vm,在V＞V2的區域電流電壓遵循SCLC平方率.
위료탐명GaN초특기자외탐측기루전류문제,제고탐측기적성능,재이유적각충전류수운모형적기출상,파관금대적GaN기반도체재료(Eg>3.4eV)간작절연체,용공간전하한제전류이론(SCLC)분석유금속유궤물화학기상침적법(MOCVD)생장적금속-GaN초특기자외탐측기양품적I-V화I-V-T곡선.결과표명,SCLC궤제공제적전류성분점주도지위,대우량개전환전압V1、V2,재V＜V1적구역전류전압준순구모정률,재V1＜V＜V2적구역준순멱지수규률I∝Vm,재V＞V2적구역전류전압준순SCLC평방솔.
