核聚变与等离子体物理
覈聚變與等離子體物理
핵취변여등리자체물리
NUCLEAR FUSION AND PLASMA PHYSICS
2010年
2期
189-192
,共4页
杨沁玉%刘磊%丁可%张菁%王庆瑞
楊沁玉%劉磊%丁可%張菁%王慶瑞
양심옥%류뢰%정가%장정%왕경서
占空比%多孔氧化硅%拉曼光谱%红外光谱
佔空比%多孔氧化硅%拉曼光譜%紅外光譜
점공비%다공양화규%랍만광보%홍외광보
采用由脉冲负偏压调节的等离子体增强化学气相沉积方法,以硅烷为源气体,在玻璃基片上沉积得到了多孔二氧化硅薄膜.将反应过程中加在沉积区域的脉冲偏压固定在-350V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜样品的形貌、成份和结构均不相同.扫描电镜照片表明,组成多孔氧化硅薄膜的颗粒在占空比增大时变得细腻,并且薄膜整体变得多孔且蓬松.拉曼光谱和红外光谱结果显示,薄膜样品中的非晶硅和Si-H键在较高的占空比下减弱甚至消失.占空比升高时氧化硅桥键所占比例持续增加.
採用由脈遲負偏壓調節的等離子體增彊化學氣相沉積方法,以硅烷為源氣體,在玻璃基片上沉積得到瞭多孔二氧化硅薄膜.將反應過程中加在沉積區域的脈遲偏壓固定在-350V,噹佔空比從0.162增大到0.864時,薄膜樣品的形貌、成份和結構均不相同.掃描電鏡照片錶明,組成多孔氧化硅薄膜的顆粒在佔空比增大時變得細膩,併且薄膜整體變得多孔且蓬鬆.拉曼光譜和紅外光譜結果顯示,薄膜樣品中的非晶硅和Si-H鍵在較高的佔空比下減弱甚至消失.佔空比升高時氧化硅橋鍵所佔比例持續增加.
채용유맥충부편압조절적등리자체증강화학기상침적방법,이규완위원기체,재파리기편상침적득도료다공이양화규박막.장반응과정중가재침적구역적맥충편압고정재-350V,당점공비종0.162증대도0.864시,박막양품적형모、성빈화결구균불상동.소묘전경조편표명,조성다공양화규박막적과립재점공비증대시변득세니,병차박막정체변득다공차봉송.랍만광보화홍외광보결과현시,박막양품중적비정규화Si-H건재교고적점공비하감약심지소실.점공비승고시양화규교건소점비례지속증가.
