人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
4期
938-941
,共4页
席彩萍%王六定%王小冬%李昭宁
席綵萍%王六定%王小鼕%李昭寧
석채평%왕륙정%왕소동%리소저
多壁碳纳米管%沉积温度%PECVD
多壁碳納米管%沉積溫度%PECVD
다벽탄납미관%침적온도%PECVD
采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜.采用扫描电镜研究了沉积温度对碳管形貌的影响,进一步通过扩散机制分析了多种形貌CNTs的生长机制.结果表明:沉积温度对催化剂的刻蚀和碳纳米管薄膜的形成起着决定作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳温度是700℃.
採用等離子體增彊化學氣相沉積技術,以C2H2、H2和N2為反應氣體,在鍍Ni催化劑的Si基底上成功製備齣多壁碳納米管薄膜.採用掃描電鏡研究瞭沉積溫度對碳管形貌的影響,進一步通過擴散機製分析瞭多種形貌CNTs的生長機製.結果錶明:沉積溫度對催化劑的刻蝕和碳納米管薄膜的形成起著決定作用,穫得定嚮性良好、分佈均勻、密度適中的碳納米管的最佳溫度是700℃.
채용등리자체증강화학기상침적기술,이C2H2、H2화N2위반응기체,재도Ni최화제적Si기저상성공제비출다벽탄납미관박막.채용소묘전경연구료침적온도대탄관형모적영향,진일보통과확산궤제분석료다충형모CNTs적생장궤제.결과표명:침적온도대최화제적각식화탄납미관박막적형성기착결정작용,획득정향성량호、분포균균、밀도괄중적탄납미관적최가온도시700℃.
