稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2004年
3期
484-486
,共3页
彭龙新%周正林%蒋幼泉%林金庭%魏同立
彭龍新%週正林%蔣幼泉%林金庭%魏同立
팽룡신%주정림%장유천%림금정%위동립
微波单片集成电路%赝配高电子迁移率晶体管%低噪声放大器
微波單片集成電路%贗配高電子遷移率晶體管%低譟聲放大器
미파단편집성전로%안배고전자천이솔정체관%저조성방대기
报道了X波段0.5 μm GaAs PHEMT 全单片低噪声放大器芯片.该放大器芯片由四级级联放大电路构成.芯片面积为2.43×1.85 mm2.该放大器芯片在通带内测试结果为: 在工作条件VD=5 V(ID≤100 mA)下,增益>26 dB,噪声系数≤2.2 dB,输入、输出电压驻波比<1.6∶1,平坦度≤±1 dB,1 dB压缩功率≥15 dB·m,相位一致性≤±3°,幅度一致性≤±0.5 dB.芯片尺寸为2.43 mm×1.85 mm.
報道瞭X波段0.5 μm GaAs PHEMT 全單片低譟聲放大器芯片.該放大器芯片由四級級聯放大電路構成.芯片麵積為2.43×1.85 mm2.該放大器芯片在通帶內測試結果為: 在工作條件VD=5 V(ID≤100 mA)下,增益>26 dB,譟聲繫數≤2.2 dB,輸入、輸齣電壓駐波比<1.6∶1,平坦度≤±1 dB,1 dB壓縮功率≥15 dB·m,相位一緻性≤±3°,幅度一緻性≤±0.5 dB.芯片呎吋為2.43 mm×1.85 mm.
보도료X파단0.5 μm GaAs PHEMT 전단편저조성방대기심편.해방대기심편유사급급련방대전로구성.심편면적위2.43×1.85 mm2.해방대기심편재통대내측시결과위: 재공작조건VD=5 V(ID≤100 mA)하,증익>26 dB,조성계수≤2.2 dB,수입、수출전압주파비<1.6∶1,평탄도≤±1 dB,1 dB압축공솔≥15 dB·m,상위일치성≤±3°,폭도일치성≤±0.5 dB.심편척촌위2.43 mm×1.85 mm.
