电子测量与仪器学报
電子測量與儀器學報
전자측량여의기학보
JOURNAL OF ELECTRONIC MEASUREMENT AND INSTRUMENT
2004年
4期
89-93,76
,共6页
超薄膜硅片%SOI/SDB技术%电化学腐蚀%发展趋势
超薄膜硅片%SOI/SDB技術%電化學腐蝕%髮展趨勢
초박막규편%SOI/SDB기술%전화학부식%발전추세
文中介绍了超薄膜SOI/SDB技术的发展历程及其主要的四种技术,其中SDB技术是今后SOI的主流技术.采用了电化学腐蚀自停止的实验方法,对SOI/SDB硅片进行减薄后,成功地获得了小于1μm的SOI/SDB工作硅膜.经实验分析,可知该超薄膜工作硅片具有高速、低功耗、高集成度、高可靠性等优良性能,该薄膜在亚微米VLSI、深亚微米ULSI和集成光学中得到广泛的应用.
文中介紹瞭超薄膜SOI/SDB技術的髮展歷程及其主要的四種技術,其中SDB技術是今後SOI的主流技術.採用瞭電化學腐蝕自停止的實驗方法,對SOI/SDB硅片進行減薄後,成功地穫得瞭小于1μm的SOI/SDB工作硅膜.經實驗分析,可知該超薄膜工作硅片具有高速、低功耗、高集成度、高可靠性等優良性能,該薄膜在亞微米VLSI、深亞微米ULSI和集成光學中得到廣汎的應用.
문중개소료초박막SOI/SDB기술적발전역정급기주요적사충기술,기중SDB기술시금후SOI적주류기술.채용료전화학부식자정지적실험방법,대SOI/SDB규편진행감박후,성공지획득료소우1μm적SOI/SDB공작규막.경실험분석,가지해초박막공작규편구유고속、저공모、고집성도、고가고성등우량성능,해박막재아미미VLSI、심아미미ULSI화집성광학중득도엄범적응용.
