应用光学
應用光學
응용광학
JOURNAL OF APPLIED OPTICS
2010年
6期
1023-1026
,共4页
马祥柱%霍晋%曲轶%杜石磊
馬祥柱%霍晉%麯軼%杜石磊
마상주%곽진%곡질%두석뢰
垂直腔面发射半导体激光器%AlN膜%SiO2膜%ANSYS
垂直腔麵髮射半導體激光器%AlN膜%SiO2膜%ANSYS
수직강면발사반도체격광기%AlN막%SiO2막%ANSYS
用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于A1N膜钝化层和SiO2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布.经模拟得到基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.123℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.377℃/W.经实验测得基于A1N膜钝化层的VCSEL热阻为3.54℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.75℃/W,模拟结果与实验结果吻合较好.
用ANSYS有限元熱分析軟件模擬瞭基于A1N膜鈍化層和SiO2膜鈍化層的高功率垂直腔麵髮射半導體激光器(VCSEL)器件內部的熱場分佈和熱矢量分佈.經模擬得到基于AlN膜鈍化層的VCSEL熱阻為3.123℃/W,而基于SiO2膜鈍化層的VCSEL的熱阻為4.377℃/W.經實驗測得基于A1N膜鈍化層的VCSEL熱阻為3.54℃/W,而基于SiO2膜鈍化層的VCSEL的熱阻為4.75℃/W,模擬結果與實驗結果吻閤較好.
용ANSYS유한원열분석연건모의료기우A1N막둔화층화SiO2막둔화층적고공솔수직강면발사반도체격광기(VCSEL)기건내부적열장분포화열시량분포.경모의득도기우AlN막둔화층적VCSEL열조위3.123℃/W,이기우SiO2막둔화층적VCSEL적열조위4.377℃/W.경실험측득기우A1N막둔화층적VCSEL열조위3.54℃/W,이기우SiO2막둔화층적VCSEL적열조위4.75℃/W,모의결과여실험결과문합교호.
