应用化学
應用化學
응용화학
CHINESE JOURNAL OF APPLIED CHEMISTRY
2005年
2期
138-141
,共4页
华缜%靳正国%武卫兵%程志捷
華縝%靳正國%武衛兵%程誌捷
화진%근정국%무위병%정지첩
p-CuSCN薄膜%电化学沉积%EDTA
p-CuSCN薄膜%電化學沉積%EDTA
p-CuSCN박막%전화학침적%EDTA
用电化学沉积法,以水作溶剂,在ITO透明导电玻璃上制得p-CuSCN薄膜. 探讨了Cu(SCN)2在水溶液中的不稳定性及EDTA络合对提高CuSO4和KSCN水溶液稳定性的作用. 研究结果表明,未加EDTA络合剂时,CuSO4和KSCN在水溶液中将分解成CuSCN和(SCN)x;加入EDTA可以制得稳定的CuSO4和KSCN的水溶液;在-400 mV恒电位下,在EDTA与Cu2+的摩尔比为1∶ 1的水溶液中可以制备出在可见光区透光性好的CuSCN薄膜,薄膜的平均粒径约为50 nm,是p型的β-CuSCN半导体,光学带隙为3.8 eV,测得的表面电导率为0.8×10-3 S/cm.
用電化學沉積法,以水作溶劑,在ITO透明導電玻璃上製得p-CuSCN薄膜. 探討瞭Cu(SCN)2在水溶液中的不穩定性及EDTA絡閤對提高CuSO4和KSCN水溶液穩定性的作用. 研究結果錶明,未加EDTA絡閤劑時,CuSO4和KSCN在水溶液中將分解成CuSCN和(SCN)x;加入EDTA可以製得穩定的CuSO4和KSCN的水溶液;在-400 mV恆電位下,在EDTA與Cu2+的摩爾比為1∶ 1的水溶液中可以製備齣在可見光區透光性好的CuSCN薄膜,薄膜的平均粒徑約為50 nm,是p型的β-CuSCN半導體,光學帶隙為3.8 eV,測得的錶麵電導率為0.8×10-3 S/cm.
용전화학침적법,이수작용제,재ITO투명도전파리상제득p-CuSCN박막. 탐토료Cu(SCN)2재수용액중적불은정성급EDTA락합대제고CuSO4화KSCN수용액은정성적작용. 연구결과표명,미가EDTA락합제시,CuSO4화KSCN재수용액중장분해성CuSCN화(SCN)x;가입EDTA가이제득은정적CuSO4화KSCN적수용액;재-400 mV항전위하,재EDTA여Cu2+적마이비위1∶ 1적수용액중가이제비출재가견광구투광성호적CuSCN박막,박막적평균립경약위50 nm,시p형적β-CuSCN반도체,광학대극위3.8 eV,측득적표면전도솔위0.8×10-3 S/cm.
