版图尺寸对SiGe/Si HBT高频噪声特性的影响
판도척촌대SiGe/Si HBT고빈조성특성적영향
Effects of Layout Size on High-Frequency Noise Characteristics of Si/SiGe HBT's
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2006年 5期 598-600 ,共3页

    张万荣%沙永萍%谢红云%刘颖%张静%张正元%刘伦才%刘道广%王健安%徐学良%陈光炳

    장만영%사영평%사홍운%류영%장정%장정원%류륜재%류도엄%왕건안%서학량%진광병

    SiGe/Si%异质结晶体管%高频噪声 SiGe/Si%異質結晶體管%高頻譟聲
    SiGe/Si%이질결정체관%고빈조성
    从实验上研究了版图尺寸对Si/SiGe HBT高频噪声特性的影响.结果表明,在现有工艺条件下,减少外基区电阻(即减少发射极与基区间距),对降低高频噪声很显著.增加基极条数、增加条长也可减少基极电阻,降低高频噪声.发射极条宽从2μm减少为1μm,对噪声的改善很有限.对1μm或2μm条宽,40μm条长的5个基极条或9个基极条的SiGe HBT,在片测试表明,频率从0.4 GHz增加到1.2 GHz,噪声系数在2.5～4.6 dB之间变化.
    종실험상연구료판도척촌대Si/SiGe HBT고빈조성특성적영향.결과표명,재현유공예조건하,감소외기구전조(즉감소발사겁여기구간거),대강저고빈조성흔현저.증가기겁조수、증가조장야가감소기겁전조,강저고빈조성.발사겁조관종2μm감소위1μm,대조성적개선흔유한.대1μm혹2μm조관,40μm조장적5개기겁조혹9개기겁조적SiGe HBT,재편측시표명,빈솔종0.4 GHz증가도1.2 GHz,조성계수재2.5～4.6 dB지간변화.
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