化学学报
化學學報
화학학보
ACTA CHIMICA SINICA
2006年
10期
997-1003
,共7页
聚乙撑二氧噻吩%阳极降解%电化学阻抗谱%电子自旋共振波谱%傅立叶变换红外光谱
聚乙撐二氧噻吩%暘極降解%電化學阻抗譜%電子自鏇共振波譜%傅立葉變換紅外光譜
취을탱이양새분%양겁강해%전화학조항보%전자자선공진파보%부립협변환홍외광보
研究了聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)膜在水溶液中的阳极降解过程.研究发现PEDOT的阳极过程可以分为p掺杂区[电位范围-0.3～0.5 V(相对于饱和甘汞电极;vs.SCE)]、过渡区[电位范围0.6～1 V(vs.SCE)]、过氧化区[电位范周1.2～1.6 V(vs.SCE)]三个电位区域.用电化学阻抗谱法、循环伏安法、红外光谱技术、膜电阻测量以及电子自旋共振技术分别研究了PEDOT膜在这三个电位区域的行为.结果表明:PEDOT膜在这三个电位区域的性质有明显不同.在p掺杂区PEDOT膜的官能团、共轭结构、导电性均保持,即在这个电位区发生可逆的掺杂/脱掺杂反应,膜几乎不降解.在过渡区和过氧化区,PEDOT膜均发生了降解.与传统的导电聚合物在高电位的阳极降解的过氧化过程不同,我们认为膜在较高电位(过渡区)发生一个驰豫过程,该过程使得膜的官能团改变,但是膜的共轭结构和导电性均保持;而在更高的电位区(过氧化区)膜的降解和一般意义的过氧化降解相同,此时膜的官能团、共轭结构、导电性均发生不可逆的破坏.
研究瞭聚乙撐二氧噻吩(PEDOT)膜在水溶液中的暘極降解過程.研究髮現PEDOT的暘極過程可以分為p摻雜區[電位範圍-0.3～0.5 V(相對于飽和甘汞電極;vs.SCE)]、過渡區[電位範圍0.6～1 V(vs.SCE)]、過氧化區[電位範週1.2～1.6 V(vs.SCE)]三箇電位區域.用電化學阻抗譜法、循環伏安法、紅外光譜技術、膜電阻測量以及電子自鏇共振技術分彆研究瞭PEDOT膜在這三箇電位區域的行為.結果錶明:PEDOT膜在這三箇電位區域的性質有明顯不同.在p摻雜區PEDOT膜的官能糰、共軛結構、導電性均保持,即在這箇電位區髮生可逆的摻雜/脫摻雜反應,膜幾乎不降解.在過渡區和過氧化區,PEDOT膜均髮生瞭降解.與傳統的導電聚閤物在高電位的暘極降解的過氧化過程不同,我們認為膜在較高電位(過渡區)髮生一箇馳豫過程,該過程使得膜的官能糰改變,但是膜的共軛結構和導電性均保持;而在更高的電位區(過氧化區)膜的降解和一般意義的過氧化降解相同,此時膜的官能糰、共軛結構、導電性均髮生不可逆的破壞.
연구료취을탱이양새분(PEDOT)막재수용액중적양겁강해과정.연구발현PEDOT적양겁과정가이분위p참잡구[전위범위-0.3～0.5 V(상대우포화감홍전겁;vs.SCE)]、과도구[전위범위0.6～1 V(vs.SCE)]、과양화구[전위범주1.2～1.6 V(vs.SCE)]삼개전위구역.용전화학조항보법、순배복안법、홍외광보기술、막전조측량이급전자자선공진기술분별연구료PEDOT막재저삼개전위구역적행위.결과표명:PEDOT막재저삼개전위구역적성질유명현불동.재p참잡구PEDOT막적관능단、공액결구、도전성균보지,즉재저개전위구발생가역적참잡/탈참잡반응,막궤호불강해.재과도구화과양화구,PEDOT막균발생료강해.여전통적도전취합물재고전위적양겁강해적과양화과정불동,아문인위막재교고전위(과도구)발생일개치예과정,해과정사득막적관능단개변,단시막적공액결구화도전성균보지;이재경고적전위구(과양화구)막적강해화일반의의적과양화강해상동,차시막적관능단、공액결구、도전성균발생불가역적파배.
