宇航材料工艺
宇航材料工藝
우항재료공예
AEROSPACE MATERIALS & TECHNOLOGY
2010年
3期
44-47
,共4页
童长青%成来飞%曾庆丰%刘永胜%张立同
童長青%成來飛%曾慶豐%劉永勝%張立同
동장청%성래비%증경봉%류영성%장립동
SiB4微粉%SiC%化学气相渗透%氧化
SiB4微粉%SiC%化學氣相滲透%氧化
SiB4미분%SiC%화학기상삼투%양화
采用SEM、EDS、XRD分析了SiB4微粉化学气相渗透(CVI)SiC后的组成和结构,并用热力学计算研究了SiB4微粉在CVI SiC过程中变化的原因.结果表明:在CVI SiC过程中SiB4微粉不发生分解,但在近表层处氧化生成SiO2和B2O3.用SiB4浆料浸渍结合CVI工艺对C/SiC基体进行自愈合改性时,难以形成均匀致密的基体.
採用SEM、EDS、XRD分析瞭SiB4微粉化學氣相滲透(CVI)SiC後的組成和結構,併用熱力學計算研究瞭SiB4微粉在CVI SiC過程中變化的原因.結果錶明:在CVI SiC過程中SiB4微粉不髮生分解,但在近錶層處氧化生成SiO2和B2O3.用SiB4漿料浸漬結閤CVI工藝對C/SiC基體進行自愈閤改性時,難以形成均勻緻密的基體.
채용SEM、EDS、XRD분석료SiB4미분화학기상삼투(CVI)SiC후적조성화결구,병용열역학계산연구료SiB4미분재CVI SiC과정중변화적원인.결과표명:재CVI SiC과정중SiB4미분불발생분해,단재근표층처양화생성SiO2화B2O3.용SiB4장료침지결합CVI공예대C/SiC기체진행자유합개성시,난이형성균균치밀적기체.
