华侨大学学报（自然科学版）
華僑大學學報（自然科學版）
화교대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HUAQIAO UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2011年
4期
385-388
,共4页
王燕飞%王加贤%张培%杨先才
王燕飛%王加賢%張培%楊先纔
왕연비%왕가현%장배%양선재
激光技术%Nd∶ YVO4激光器%纳米锗镶嵌二氧化硅薄膜%被动调Q%可饱和吸收体
激光技術%Nd∶ YVO4激光器%納米鍺鑲嵌二氧化硅薄膜%被動調Q%可飽和吸收體
격광기술%Nd∶ YVO4격광기%납미타양감이양화규박막%피동조Q%가포화흡수체
采用射频磁控溅射技术和热退火处理方法制备纳米锗镶嵌二氧化硅( Ge-SiO2)薄膜.利用光吸收谱和X射线衍射谱对薄膜材料进行表征,得到薄膜的光学带隙为1.12 eV,纳米Ge晶粒的平均尺寸约为16.4 nm.将纳米Ge-SiO2薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平-凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约为40 ns,重复频率为33.3 kHz的调Q脉冲序列输出.根据实验现象并结合薄膜结构,认为纳米Ge-SiO2薄膜的界面态和缺陷态是产生调Q的主要原因.
採用射頻磁控濺射技術和熱退火處理方法製備納米鍺鑲嵌二氧化硅( Ge-SiO2)薄膜.利用光吸收譜和X射線衍射譜對薄膜材料進行錶徵,得到薄膜的光學帶隙為1.12 eV,納米Ge晶粒的平均呎吋約為16.4 nm.將納米Ge-SiO2薄膜作為可飽和吸收體插入激光二極管泵浦的平-凹腔Nd∶YVO4激光器內,實現1 342 nm激光的被動調Q運轉,穫得脈遲寬度約為40 ns,重複頻率為33.3 kHz的調Q脈遲序列輸齣.根據實驗現象併結閤薄膜結構,認為納米Ge-SiO2薄膜的界麵態和缺陷態是產生調Q的主要原因.
채용사빈자공천사기술화열퇴화처리방법제비납미타양감이양화규( Ge-SiO2)박막.이용광흡수보화X사선연사보대박막재료진행표정,득도박막적광학대극위1.12 eV,납미Ge정립적평균척촌약위16.4 nm.장납미Ge-SiO2박막작위가포화흡수체삽입격광이겁관빙포적평-요강Nd∶YVO4격광기내,실현1 342 nm격광적피동조Q운전,획득맥충관도약위40 ns,중복빈솔위33.3 kHz적조Q맥충서렬수출.근거실험현상병결합박막결구,인위납미Ge-SiO2박막적계면태화결함태시산생조Q적주요원인.
